Газоаналитический мультисенсорный чип на основе аминированного графена, модифицированного наночастицами гидроксидов и оксидов никеля, и способ его изготовления
Патент РФ #2814613 от
01 марта 2024, тип: Изобретение Рабчинский,МК; Сысоев,ВВ; Рыжков,СА; Стручков,НС; Соломатин,МА; Варежников,АС; Червякова,ПД; Савельев,СД; Габрелян,ВС; Улин,НВ; Кириленко,ДА; Павлов,СИ; Брунков,ПН
Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН
Авторы-сотрудники ФТИ: Рабчинский,МК, Рыжков,СА, Червякова,ПД, Савельев,СД, Габрелян,ВС, Улин,НВ, Кириленко,ДА, Павлов,СИ, Брунков,ПН
Подразделения: Прасолова,НД, Прасолова,НД, Прасолова,НД, Прасолова,НД, Прасолова,НД, Прасолова,НД, Прасолова,НД, Прасолова,НД, Брункова,ПН
Газоаналитический мультисенсорный чип на основе графена, модифицированного наночастицами благородных металлов, и способ его изготовления
Патент РФ #2814586 от
01 марта 2024, тип: Изобретение Рабчинский,МК; Сысоев,ВВ; Рыжков,СА; Стручков,НС; Соломатин,МА; Варежников,АС; Червякова,ПД; Габрелян,ВС; Столярова,ДЮ; Полукеева,АВ; Кириленко,ДА; Байдакова,МВ; Петухов,ВА; Павлов,СИ; Брунков,ПН
Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН
Авторы-сотрудники ФТИ: Рабчинский,МК, Рыжков,СА, Червякова,ПД, Габрелян,ВС, Полукеева,АВ, Кириленко,ДА, Байдакова,МВ, Павлов,СИ, Брунков,ПН
Подразделения: Прасолова,НД, Прасолова,НД, Прасолова,НД, Прасолова,НД, Прасолова,НД, Прасолова,НД, Прасолова,НД, Прасолова,НД, Брункова,ПН
Газоаналитический мультисенсорный чип на основе фосфорилированного графена и способ его изготовления
Патент РФ #2814054 от
21 февраля 2024, тип: Изобретение Рабчинский,МК; Сысоев,ВВ; Рыжков,СА; Стручков,НС; Соломатин,МА; Варежников,АС; Савельев,СД; Габрелян,ВС; Столярова,ДЮ; Кириленко,ДА; Саксонов,АА; Павлов,СИ; Брунков,ПН
Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН
Авторы-сотрудники ФТИ: Рабчинский,МК, Рыжков,СА, Савельев,СД, Габрелян,ВС, Кириленко,ДА, Саксонов,АА, Павлов,СИ, Брунков,ПН
Подразделения: Прасолова,НД, Прасолова,НД, Прасолова,НД, Прасолова,НД, Прасолова,НД, Прасолова,НД, Прасолова,НД, Брункова,ПН
Способ выращивания полупроводниковой пленки
Патент РФ #2814063 от
21 февраля 2024, тип: Изобретение Жмерик,ВН; Нечаев,ДВ; Семенов,АН
Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН
Авторы-сотрудники ФТИ: Жмерик,ВН, Нечаев,ДВ, Семенов,АН
Подразделения: Торопова,АА, Торопова,АА, Торопова,АА
Способ изготовления фотоэлектрического преобразователя на основе GaInAsSb
Патент РФ #2813746 от
16 февраля 2024, тип: Изобретение Сорокина,СВ; Хвостиков,ВП; Васильев,ВИ
Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН
Авторы-сотрудники ФТИ: Сорокина,СВ, Хвостиков,ВП, Васильев,ВИ
Подразделения: Шварца,МЗ, Шварца,МЗ, Соколовского,ГС