Молекулярно-пучковая эпитаксия А3-нитридных наноструктур
Руководитель(и): Копьев,ПС, лаб. квантоворазмерных гетероструктур
2006–2006 Тип: исследовательский Программа: Квантовые наноструктуры

Кооперативные явления в технологии наноструктур на основе InGaN с квантовыми точками InAs и их вклад в формирование электрических и оптических свойств
Руководитель(и): Шмидт,НМ, лаб. квантоворазмерных гетероструктур
2006–2006 Тип: исследовательский Программа: Квантовые наноструктуры

Металлические квантовые точки в полупроводниках III-V
Руководитель(и): Чалдышев,ВВ, лаб. физики аморфных полупроводников
2006–2006 Тип: исследовательский Программа: Квантовые наноструктуры

Влияние оптических фононов на процессы самоорганизации в квантовых наноструктурах
Руководитель(и): Маслов,АЮ, лаб. неравновесных процессов в полупроводниках
2006–2006 Тип: исследовательский Программа: Квантовые наноструктуры

Особенности молекулярно-пучковой эпитаксии сильно рассогласованных по параметру решетки твердых растворов А3В5 на подложках А3В5 и Si с модифицированным нанорельефом поверхности
Руководитель(и): Евтихиев,ВП, лаб. полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей
2006–2006 Тип: исследовательский Программа: Квантовые наноструктуры

Рельефные поверхности на основе пористого Si с повышенной концентрацией нанокластеров металлов групп Pd и Fe
Руководитель(и): Терещенко,ГФ, лаб. новых неорганических материалов
2006–2006 Тип: исследовательский Программа: Квантовые наноструктуры