Общая информация
Наукометрия
Новости
Пресс–релизы
Инициативы
Структура и тематики
Совет по астрофизике
Совет молодых ученых
Профсоюзная организация
Закупки

Подготовка кадров

Базовые кафедры ФТИ
Аспирантура
Защиты диссертаций
Научные школы
Конкурсы
Аттестация
Должностные инструкции

Результаты

Основные результаты
Публикации сотрудников
Патенты
УНУ «Глобус-М»
УНУ «Циклотрон ФТИ»
УНУ «Токамак ТУМАН-3М»
Федеральные программы
Проекты Минобрнауки
ЦКП
Международные программы
Проекты
Конкурсные премии
Отличия сотрудников

Журналы и БД

Журналы
Тематические БД

Мероприятия

Конференции, совещания
Семинары и лекции

Разное

Карта сайта
СОУТ
Web of Science®
ФТИ в 2000–20 гг.
Статей 24970
Цитируемость
суммарная 322232
на статью 12.9
Индекс Хирша 168
G-индекс 284
Scopus®
ФТИ в 2000–20 гг.
Статей 27994
Цитируемость
суммарная 345341
на статью 12.3
Индекс Хирша 177
G-индекс 295
Основные достижения
Сферический токамак Глобус-М2 с увеличенным магнитным полем
Оптомеханический эффект Керкера
Новый контрастный агент для магниторезонансной томографии на основе наноалмазов
Управление обменным взаимодействием при помощи электрического поля в гибридных системах ферромагнетик/полупроводник
Объединённая диагностика диверторной плазмы токамака ИТЭР на основе томсоновского рассеяния и лазерно индуцированной флуоресценции
Полевые транзисторы на основе гетероструктур 2D-полупроводник — эпитаксиальный фторид для микроэлектроники нового поколения
Сверхбыстрая оптическая генерация магнитостатических волн с большой длиной распространения в структурах FeGa/GaAs
Управление проводимостью InхGa1-хAs нитевидных нанокристаллов с помощью механической деформации
Исследование микропор в монокристаллах SiC методом фазово-контрастного изображения в синхротронном излучении
Кристаллическая структура, Рамановская спектроскопия и диэлектрические свойства новых полуорганических кристаллов на основе 2-метилбензимидазола
Селективно настраиваемые фотоэлектрические преобразователи мощного лазерного излучения на метаморфных гетероструктурах
Экситонная люминесценция в нанотрубках на основе дихалькогенидных соединений
Малощумяшие гетерофотодиоды на основе InAs
Лазерные аддитивные технологии для интегрально-оптических схем на подложках ниобата лития
Передающий радиофотонный тракт для АФАР на основе мощных СВЧ полупроводниковых лазеров и фотодетекторов
Отчет ФТИ 2020
 

Защиты диссертаций

О советах Предстоящие защиты Состоявшиеся защиты Видеозаписи защит Сводка

Состоявшиеся защиты диссертаций

Диссертант
Руководитель
 
Месяц

Год
Всего записей: 590
Четверг, 04 октября 2001
    
Смирнов,АН, ФТИ
 
Исследование широкозонных полупроводников GaN, AlN и структур на их основе методом комбинационного рассеяния света
Диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук по специальности физика конденсированного состояния (01.04.07), совет: К 002.205.01
Руководитель(и) (консультант): Давыдов,ВЮ
Утверждена ВАК: 11 января 2002, протокол: 2к/39
Четверг, 28 июня 2001
    
Галль,НР, ФТИ
 Лаб. Галля,НР
Поверхностные процессы и соединения при взаимодействии атомов металлов с тугоплавкими металлами
Диссертация на соискание ученой степени докт. физ.-мат. наук по специальности физическая электроника (01.04.04), совет: Д 002.205.03
Утверждена ВАК: 08 февраля 2002, протокол: 7д/29
Четверг, 28 июня 2001
    
Дьяконова,ЕА, ФТИ
 Лаб. Кузнецова,ВИ
Развитие ионизационной неустойчивости при взаимодействии потока неравновесной плазмы с магнитным полем
Диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук по специальности физика плазмы (01.04.08), совет: Д 002.205.03
Руководитель(и) (консультант): Васильева,РВ
Утверждена ВАК: 12 октября 2001, протокол: 42к/41
Вторник, 26 июня 2001
    
Сресели,ОМ, ФТИ
 Лаб. Белькова,ВВ
Полупроводники с модифицированной поверхностью-регулярный рельеф и квантово-размерные нанокристаллиты
Диссертация на соискание ученой степени докт. физ.-мат. наук по специальности физика полупроводников (01.04.10), совет: Д 002.205.02
Утверждена ВАК: 09 ноября 2001, протокол: 47д/22
Понедельник, 25 июня 2001
    
Воловик,БВ, ФТИ
 Лаб. Иванова,СВ
Оптические свойства структур с квантовыми точками в системе (In, Ga, Al) As
Диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук по специальности физика полупроводников (01.04.10), совет: К 002.205.02
Руководитель(и) (консультант): Леденцов,НН
Утверждена ВАК: 09 ноября 2001, протокол: 47к/54
Понедельник, 25 июня 2001
    
Солдатенков,ФЮ, ФТИ
 Лаб. Андреева,ВМ
Субнаносекундные коммутато-ры на основе гетеропереходов в системе GaAs (InGaAs)-AlGaAs
Диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук по специальности физика полупроводников (01.04.10), совет: К 002.205.02
Руководитель(и) (консультант): Корольков,ВИ
Утверждена ВАК: 12 октября 2001, протокол: 42к/40
Понедельник, 25 июня 2001
    
Сорокин,СВ, ФТИ
 
Полупроводниковые слои и гетероструктуры на основе халькогенидов цинка, кадмия и бериллия, формируемые методом молекулярно-пучковой эпитаксии
Диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук по специальности физика полупроводников (01.04.10), совет: К 002.205.02
Руководитель(и) (консультант): Иванов,СВ
Утверждена ВАК: 09 ноября 2001, протокол: 47к/49
Четверг, 21 июня 2001
    
Брюшинин,МА, ИПМ
 Лаб. Кумзерова,ЮА
Нестационарная фото-ЭДС в фоторефрактивных кристаллах со сложной структурой примесных уровней
Диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук по специальности физика конденсированного состояния (01.04.07), совет: К 002.205.01
Руководитель(и) (консультант):
Утверждена ВАК: 09 ноября 2001, протокол: 47к/50
firstback10prev 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 nextfrwd10last
Яндекс.Метрика
© 2005–2020 разработка и сопровождение: ОНТИ ФТИ им. А.Ф. Иоффе