|
Основные достижения 2012 годаПеречень
Однородные спин–волновые возбуждения естественных 1D сверхрешеток с топологическим порядком при низких температурах, формирующихся в мультиферроиках
; ; ;
лаб. физики сегнетоэлектричества и магнетизма (Лушникова,СГ)
Обнаружен набор линий однородных спин–волновых возбуждений (ферромагнитных резонансов), который оказался универсальным для целого ряда объектов: легированных Ce и Bi мультиферроиков Eu(Ce)Mn2O5 и Tb(B)iMnO3, нелегированных мультиферроиков RMn2O5 (R = Eu, Tb, Er, Bi), а также антиферромагнитного купрата Eu2CuO4. Ферромагнитные резонансы соответствуют отдельным слоям естественных 1D сверхрешетoк, формируемых за счет процессов фазового расслоения и самоорганизации носителей заряда. Характеристики резонансов позволили судить о свойствах слоев сверхрешеток, существующих при температурах T < 30– 40 K. В частности были обнаружены скачки электрической поляризации и спина на границах сверхрешеток, являющихся переходными слоями между объемными доменами. Подобие наблюдаемой картины в широком классе изученных кристаллов указывает на то, что в сверхрешетках возникает топологический порядок, аналогичный широко изучаемому топологическому изолятору.
Иллюстрации
|
| ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
© 2005–2020 разработка и сопровождение: ОНТИ ФТИ им. А.Ф. Иоффе
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Подобные наборы линий ферромагнитного резонанса, являющиеся откликами отдельных слоев естественных сверхрешеток,
формирующихся за счет процессов самоорганизации в мультиферроиках Eu0.8Ce0.2Mn2O5,
EuMn2O5 и
антиферромагнетике Eu2CuO4. T = 5 K. Слои сверхрешеток ферромагнитны, содержат носители заряда и занимают малый
объем основного диэлектрического кристалла.
Локализованная проводимость, существующая в слоях сверхрешеток при температурах T < 40 K.
Максимум при T = 40 K соответствует температуре, при которой туннельная и прыжковая проводимости
сравниваются и сверхрешетка изменяет свою структуру. Свидетельствует о наличии носителей заряда в слоях сверхрешеток
Электрическая поляризация, обусловленная зарядовым расслоением в слоях сверхрешеток. Подтверждает наличие
такого расслоения при температурах существования сверхрешеток
