Web of Science®
ФТИ в 2000–20 гг.
Статей 24429
Цитируемость
суммарная 320806
на статью 13.1
Индекс Хирша 168
G-индекс 284
Scopus®
ФТИ в 2000–20 гг.
Статей 27592
Цитируемость
суммарная 343916
на статью 12.5
Индекс Хирша 177
G-индекс 295
Основные достижения
Отчет ФТИ 2020
 

Основные достижения 2020 года

Перечень 

Нестационарная фото-ЭДС на динамических решетках в широкозонных полупроводнике Ga2O3

Брюшинин,МА; Куликов,ВВ; Петров,АА; Соколов,ИА
лаб. физики анизотропных материалов (Кумзерова,ЮА)
лаб. кинетических явлений в твердых телах при низких температурах (Волкова,МП)

В изолирующем моноклинном кристалле оксиде галлия, выращенным в атмосфере кислорода, изучен эффект нестационарной фото-эдс на длине волны 457 нм. Кристалл является прозрачным для видимого света, тем не менее, формирование динамических решеток объемного заряда и регистрация сигнала нестационарной фото-эдс осуществляется без приложения внешних электрических полей к образцу. Фоточувствительный материал демонстрирует анизотропию вдоль направлений [100] и [010], а именно, наблюдается небольшое различие транспортных параметров и ярко выраженная поляризационная зависимость сигнала нестационарной фото-эдс. Для выбранной длины волны лазерного излучения определены фотопроводимость кристалла, чувствительность и длина диффузии электронов, проведено сравнение с аналогичными параметрами других широкозонных полупроводников

Иллюстрации

Публикации

  1. M.A. Bryushinin, V.V. Kulikov, A.A. Petrov, I.A. Sokolov, R.V. Romashko, and Y.N. Kulchin, Non-steady-state photo-EMF in β-Ga2O3 crystal at λ=457 nm, Opt. Express
Яндекс.Метрика
© 2005–2020 разработка и сопровождение: ОНТИ ФТИ им. А.Ф. Иоффе