Web of Science®
ФТИ в 2000–20 гг.
Статей 24429
Цитируемость
суммарная 320806
на статью 13.1
Индекс Хирша 168
G-индекс 284
Scopus®
ФТИ в 2000–20 гг.
Статей 27574
Цитируемость
суммарная 343754
на статью 12.5
Индекс Хирша 177
G-индекс 295
Основные достижения
Отчет ФТИ 2020
 

Основные достижения 2021 года

Перечень 

Влияние температуры облучения на радиационную стойкость приборов на основе SiC

Лебедев,АА; Козловский,ВВ; Левинштейн,МЕ; Стрельчук,АМ; Давыдовская,КС
лаб. физики полупроводниковых приборов (Лебедева,АА)

Впервые исследовано влияние высокотемпературного электронного и протонного облучения на характеристики силовых полупроводниковых приборов на основе карбида кремния. Промышленные 4H-SiC интегральные диоды Шоттки (JBS) с блокирующим напряжением 1700 В облучались электронами с энергией 0,9 МэВ и протонами с энергией 15 МэВ при температурах от 20 до 500°С в диапазоне доз Φ от 1×1016 см-2 до 1,3×1017 см-2 (электроны) и от 7×1013 до 2×1014см-2 (протоны). Показано, что радиационная стойкость диодов при высокотемпературном («горячем») облучении значительно превышает стойкость диодов при стандартном низкотемпературном («холодном») облучении. При повышении температуры облучения от 23 до 500°С изменение сопротивления базы при той же дозе уменьшается на 5 порядков. Полученный результат подтверждает перспективность SiC для создания приборов высокотемпературной и радиационно-стойкой электроники.

Иллюстрации

Прямые ВАХдиодов после облучения электронами (0,9 МэВ) при трех температурах Ti. Вставка: зависимость удельного сопротивления базы от обратной температуры облучения Ti после облучения дозой Φ= 1,3 х 1017 см-2.

Прямые ВАХ диодов после облучения протонами 15 МэВ при трех различных температурах облучения Ti. Доза Φ = 1×1014 см-2.

Направление ПФНИ 1.3.2.10. Тема Госзадания ФТИ им. А.Ф. Иоффе 0040-2019-0014.

Публикации

  1. В.В.Козловский, А.Э. Васильев, А.А.Лебедев, Роль низкотемпературного отжига в модифицировании карбида кремния пучками, Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 2021, 4, с.36-40.
  2. A.A.Lebedev, V.V.Kozlovski, M.E.Levinshtein, et.al, Impac tof high temperatur eirradiation on characteristics of power SiC Schottky diode, Radiation Physics and Chemistry, 185 (2021) 109514
  3. A.A.Lebedev, V.V.Kozlovski, M.E.Levinshtein, A.E.Ivanov, K.S.Davydovskaya, Effect of high temperature irradiation with 15 MeV protons on characteristics of power SiCSchottky diodes, Solid-State Electronics 181-182 (2021) 108009
  4. Lebedev, A.A.; Kozlovski, V.V.; Davydovskaya, K.S.; Levinshtein, M.E. Radiation Hardness of Silicon Carbide upon High-Temperature Electron and Proton Irradiation.Materials 2021, 14, 4976.
Яндекс.Метрика
© 2005–2020 разработка и сопровождение: ОНТИ ФТИ им. А.Ф. Иоффе