|
Основные достижения 2021 годаИсследование локального анодного окисления MoSe2 для литографии высокого разрешениялаб. оптики поверхности (Берковица,ВЛ)
Интенсивно исследуемые в последнее время атомарно тонкие пленки дихалькогенидов переходных металлов (ДПМ) рассматриваются как полупроводниковый аналог графена. Они обладают запрещенной зоной от 1 до 3 эВ, сильным поглощением света, большой энергией связи экситона (до 0,5 эВ) и т.д., что делает эти материалы идеальными для устройств нано- и оптоэлектроники нового поколения. Однако традиционная литография, предполагающая нанесение резиста и химическую обработку, плохо подходит для создания устройств на основе нанотонких пленок ДПМ из-за их чрезвычайной чувствительности к любым поверхностным адсорбатам. Мы показали, что данная проблема решается с помощью безрезистивной зондовой литография, осуществляемой методом локального анодного окисления (ЛАО). Наши исследования процесса ЛАО MoSe2выявили два режима ЛАО. Изотропный режим окисления обеспечивает разрешение вплоть до 10 нм. Анизотропный режим приводит к послойному окислению нано областей, имеющих форму треугольников по направлению «зиг-заг» (см. Рисунок). По ориентации треугольников можно определить кристаллографические направления и тип упаковки кристалла.
Иллюстрации
Направление ПФНИ 1.3.2.6. Тема Госзадания ФТИ им. А.Ф. Иоффе №0040-2014-0006. Публикации
|
| ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
© 2005–2020 разработка и сопровождение: ОНТИ ФТИ им. А.Ф. Иоффе
|