Web of Science®
ФТИ в 2000–20 гг.
Статей 23023
Цитируемость
суммарная 291193
на статью 12.6
Индекс Хирша 163
G-индекс 273
Scopus®
ФТИ в 2000–20 гг.
Статей 25345
Цитируемость
суммарная 312606
на статью 12.3
Индекс Хирша 173
G-индекс 287
Основные достижения
Отчет ФТИ 2020
 

Основные достижения 2021 года

Перечень 

Исследование локального анодного окисления MoSe2 для литографии высокого разрешения

Бородин,БР; Алексеев,ПА
лаб. оптики поверхности (Берковица,ВЛ)

Интенсивно исследуемые в последнее время атомарно тонкие пленки дихалькогенидов переходных металлов (ДПМ) рассматриваются как полупроводниковый аналог графена. Они обладают запрещенной зоной от 1 до 3 эВ, сильным поглощением света, большой энергией связи экситона (до 0,5 эВ) и т.д., что делает эти материалы идеальными для устройств нано- и оптоэлектроники нового поколения. Однако традиционная литография, предполагающая нанесение резиста и химическую обработку, плохо подходит для создания устройств на основе нанотонких пленок ДПМ из-за их чрезвычайной чувствительности к любым поверхностным адсорбатам. Мы показали, что данная проблема решается с помощью безрезистивной зондовой литография, осуществляемой методом локального анодного окисления (ЛАО). Наши исследования процесса ЛАО MoSe2выявили два режима ЛАО. Изотропный режим окисления обеспечивает разрешение вплоть до 10 нм. Анизотропный режим приводит к послойному окислению нано областей, имеющих форму треугольников по направлению «зиг-заг» (см. Рисунок). По ориентации треугольников можно определить кристаллографические направления и тип упаковки кристалла.

301 Moved Permanently


nginx/1.16.1

Публикации

  1. Borodin B. R., Benimetskiy F. A., Alekseev P. A. Study of local anodic oxidation regimes in MoSe2 //Nanotechnology. 2021., Т. 32. , 15., С. 155304.
Яндекс.Метрика
© 2005–2020 разработка и сопровождение: ОНТИ ФТИ им. А.Ф. Иоффе