Основные достижения 2021 года

Короткопериодные сверхрешетки (СР) GaN_m/AlN_m с толщинами слоев 1-8 монослоев (m) являются одним из важнейших элементов оптоэлектронных и электронных приборов нового поколения. Функционирование таких приборов критическим образом зависит от качества интерфейсов между слоями СР. В данной работе представлены результаты комплексных теоретических и экспериментальных исследований, направленных на выявление влияния на спектр комбинационного рассеяния света (КРС) взаимной диффузии между слоями СР. Результаты теоретических расчетов были получены из первых принципов (ab initio) и в рамках модели случайных изосмещений (REI), а экспериментальные данные — на СР GaN/AlN, выращенных методами PA MBE и MOVPE. Впервые показано, что полосы в спектрах КРС, относящиеся к локализованным в слоях СР GaN/AlN фононам симметрии A1(LO), очень чувствительны к степени диффузии интерфейса. Это открывает новые возможности для анализа структурных характеристик короткопериодных СР GaN/AlN с использованием спектроскопии КРС. Результаты комплексных исследований могут быть использованы для оптимизации параметров процесса роста с целью формирования структурно совершенных СР GaN/AlN.