Web of Science®
ФТИ в 2000–20 гг.
Статей 24429
Цитируемость
суммарная 320806
на статью 13.1
Индекс Хирша 168
G-индекс 284
Scopus®
ФТИ в 2000–20 гг.
Статей 27574
Цитируемость
суммарная 343754
на статью 12.5
Индекс Хирша 177
G-индекс 295
Основные достижения
Отчет ФТИ 2020
 

Основные достижения 2021 года

Перечень 

Анализ резкости границ раздела в короткопериодных сверхрешетках GaN/AlN по данным спектроскопии КРС

Давыдов,ВЮ; Рогинский,ЕМ; Смирнов,АН; Елисеев,ИА; Китаев,ЮЭ; Нечаев,ДВ; Жмерик,ВН; Шубина,ТВ; Родин,СН; Заварин,ЕЕ; Лундин,ВВ
лаб. спектроскопии твердого тела (Старухина,АН)
лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Иванова,СВ)
лаб. оптики кристаллов и гетероструктур с экстремальной двумерностью (Торопова,АА)
лаб. квантовой фотоники (Торопова,АА)
лаб. физики полупроводниковых гетероструктур (Устинова,ВМ)

Короткопериодные сверхрешетки (СР) GaNm/AlNm с толщинами слоев 1-8 монослоев (m) являются одним из важнейших элементов оптоэлектронных и электронных приборов нового поколения. Функционирование таких приборов критическим образом зависит от качества интерфейсов между слоями СР. В данной работе представлены результаты комплексных теоретических и экспериментальных исследований, направленных на выявление влияния на спектр комбинационного рассеяния света (КРС) взаимной диффузии между слоями СР. Результаты теоретических расчетов были получены из первых принципов (ab initio) и в рамках модели случайных изосмещений (REI), а экспериментальные данные — на СР GaN/AlN, выращенных методами PA MBE и MOVPE. Впервые показано, что полосы в спектрах КРС, относящиеся к локализованным в слоях СР GaN/AlN фононам симметрии A1(LO), очень чувствительны к степени диффузии интерфейса. Это открывает новые возможности для анализа структурных характеристик короткопериодных СР GaN/AlN с использованием спектроскопии КРС. Результаты комплексных исследований могут быть использованы для оптимизации параметров процесса роста с целью формирования структурно совершенных СР GaN/AlN.

Иллюстрации

Рис.1. Резкий интерфейс: рассчитанные из первых принципов (a) и экспериментальные (b) спектры КРС СР (GaN)m/(AlN)m: 1 – m=4; 2 – m=6; 3 – m=8. СР выращены методом PA MBE

Рис.2. Размытый интерфейс: рассчитанные в рамках модели REI (a) и экспериментальные (b) спектры КРС СР (GaN)m/(AlN)m: 1 – m=4; 2 – m=6; 3 – m=8. СР выращены методом MOVPE

Направление ПФНИ 1.3.2.5. Тема Госзадания ФТИ им. А.Ф. Иоффе №0040-2014-0006.

Публикации

  1. V. Davydov, E.M. Roginskii, Y. Kitaev, A. Smirnov, I. Eliseyev, E. Zavarin, W. Lundin, D. Nechaev, V. Jmerik, M. Smirnov, M. Pristovsek, T. Shubina, The Effect of Interface Diffusion on Raman Spectra of Wurtzite Short-Period GaN/AlN Superlattices, Nanomaterials, 11, 2396 (2021). https://doi.org/10.3390/nano11092396
  2. V.Yu. Davydov, E.M. Roginskii, Yu.E. Kitaev, A.N. Smirnov, I.A. Eliseyev, S.N. Rodin, E.E. Zavarin, W.V. Lundin, D.V. Nechaev, V.N. Jmerik, M.B. Smirnov, Analysis of the sharpness of interfaces in short-period GaN/AlN superlattices using Raman spectroscopy data, J. Phys.: Conf. Ser., in print (2021).
Яндекс.Метрика
© 2005–2020 разработка и сопровождение: ОНТИ ФТИ им. А.Ф. Иоффе