|
Основные достижения 2021 годаРасщепление спиновых подуровней в гексагональном карбиде кремния и напряженных гетероструктурах на его основелаб. микроволновой спектроскопии кристаллов (Баранова,ПГ)
лаб. электроники полупроводников с большой энергией связи (Мохова,ЕН)
лаб. спиновых и оптических явлений в полупроводниках (Кусраева,ЮГ)
Для создания квантового компьютера, работающего при комнатной температуре, необходимо исследовать свойства систем, в которых существуют квантовые кубиты, работающие при комнатной температуре. Одним из таки кандидатов на сегодняшний день — это вакансионные центры окраски в SiC (V-центры), которые обладают выдающимися свойствами для адресного обращения к одиночному центру по оптическому каналу, контроль его квантового состояния радиочастотными импульсами, длинными временами сохранения квантового состояния при комнатной температуре. В цикле работ было изучено влияние механических напряжений на квантовое состояние V-центров в SiC. В начале мы исследовали механическое напряжение на границе гетероинтерфейса в гетероструктурах AlN/SiC методом комбинационного рассеяния света на фононных модах SiC [1]. После анализа величины и вида напряжения в таких структурах были созданы V-центры в SiC со спином 3/2 и проанализированы сдвиги расщепления между Крамерсовыми дублетами ±1/2 и ±3/2 (2D-параметр), за счет механического напряжения в карбиде кремния 6H-SiC [2] и 4H-SiC [3]. По величине сдвигов рассчитаны константы спин-механического взаимодействия, которые могут быть использованы при проектировании квантовых устройств на основе карбида кремния.
Иллюстрации
Направление ПФНИ 1.3.2.12. Тема Госзадания ФТИ им. А.Ф. Иоффе №0040-2014-0007. Публикации
|
| ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
© 2005–2020 разработка и сопровождение: ОНТИ ФТИ им. А.Ф. Иоффе
|