Web of Science®
ФТИ в 2000–20 гг.
Статей 23023
Цитируемость
суммарная 291193
на статью 12.6
Индекс Хирша 163
G-индекс 273
Scopus®
ФТИ в 2000–20 гг.
Статей 25345
Цитируемость
суммарная 312606
на статью 12.3
Индекс Хирша 173
G-индекс 287
Основные достижения
Отчет ФТИ 2020
 

Основные достижения 2021 года

Перечень 

Расщепление спиновых подуровней в гексагональном карбиде кремния и напряженных гетероструктурах на его основе

Бреев,ИД; Лихачев,КВ; Яковлева,ВВ; Вейшторт,ИП; Скоморохов,АМ; Нагалюк,СС; Мохов,ЕН; Астахов,ГВ; Баранов,ПГ; Анисимов,АН
лаб. микроволновой спектроскопии кристаллов (Баранова,ПГ)
лаб. электроники полупроводников с большой энергией связи (Мохова,ЕН)
лаб. спиновые и оптические явления в полупроводниках (Кусраева,ЮГ)

Для создания квантового компьютера, работающего при комнатной температуре, необходимо исследовать свойства систем, в которых существуют квантовые кубиты, работающие при комнатной температуре. Одним из таки кандидатов на сегодняшний день — это вакансионные центры окраски в SiC (V-центры), которые обладают выдающимися свойствами для адресного обращения к одиночному центру по оптическому каналу, контроль его квантового состояния радиочастотными импульсами, длинными временами сохранения квантового состояния при комнатной температуре. В цикле работ было изучено влияние механических напряжений на квантовое состояние V-центров в SiC. В начале мы исследовали механическое напряжение на границе гетероинтерфейса в гетероструктурах AlN/SiC методом комбинационного рассеяния света на фононных модах SiC [1]. После анализа величины и вида напряжения в таких структурах были созданы V-центры в SiC со спином 3/2 и проанализированы сдвиги расщепления между Крамерсовыми дублетами ±1/2 и ±3/2 (2D-параметр), за счет механического напряжения в карбиде кремния 6H-SiC [2] и 4H-SiC [3]. По величине сдвигов рассчитаны константы спин-механического взаимодействия, которые могут быть использованы при проектировании квантовых устройств на основе карбида кремния.

301 Moved Permanently


nginx/1.16.1

Публикации

  1. Breev I.D. et. al., Stress distribution at the AlN/SiC heterointerface probed by Raman spectroscopy, J. Appl. Phys. 129, 055304 (2021); https://doi.org/10.1063/5.0029682
  2. Breev I.D. et. al., Stress-controlled zero-field spin splitting in silicon carbide, Appl. Phys. Lett. 118, 084003 (2021); https://doi.org/10.1063/5.0040936
  3. Бреев И.Д. и др., Влияние механических напряжений на расщепление спиновых подуровней в 4H-SiC, Письма в ЖЭТФ, том 114, вып. 5, с. 323-327 (2021)
Яндекс.Метрика
© 2005–2020 разработка и сопровождение: ОНТИ ФТИ им. А.Ф. Иоффе