Web of Science®
ФТИ в 2000–20 гг.
Статей 24970
Цитируемость
суммарная 322232
на статью 12.9
Индекс Хирша 168
G-индекс 284
Scopus®
ФТИ в 2000–20 гг.
Статей 27989
Цитируемость
суммарная 345341
на статью 12.3
Индекс Хирша 177
G-индекс 295
Основные достижения
Отчет ФТИ 2020
 

Основные достижения 2022 года

Перечень 

Монослойные гетероструктуры GaN/AlN для ультрафиолетовой фотоники

Жмерик,ВН; Нечаев,ДВ; Семенов,АН; Европейцев,ЕА; Торопов,АА; Козловский,ВИ
лаб. оптики кристаллов и гетероструктур с экстремальной двумерностью (Торопова,АА)
лаб. квантовой фотоники (Торопова,АА)
лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Иванова,СВ)

Созданы уникальные структуры с множественными квантовыми ямами GaN/AlN, излучающие в ультрафиолетовом-С (УФС) диапазоне 238-265 нм, который наиболее эффективен для разработки оптических бактерицидных излучателей. С помощью электронно-лучевой накачки этих структур достигнута максимальная импульсная мощность 50 Вт, что существенно превышает лучшие результаты в мире в этом диапазоне. Впервые изготовлены солнечно-слепые фотодиоды Шоттки на основе гетероструктур GaN/AlN с максимальной чувствительностью до 50 мА/Вт на длине волны 275 нм.

Для получения вышеописанных светоизлучающих и фотоприемных приборов, работающих в глубоком УФС диапазоне, развиты физические основы и технологии эпитаксиального роста полупроводниковых приборных гетероструктур GaN/AlN c монослойной толщиной (1МС=0.25нм) квантовых ям и барьерных слоев. Успешная реализация этих структур с атомным разрешением стала возможной благодаря уникальным возможностям запатентованного нами метода их формирования с помощью плазменно-актированной молекулярно-пучковой эпитаксии.

Иллюстрации

а) Изображение гетероструктуры с монослойными квантовыми ямами GaN/AlN, полученное с помощью высокоразрешающего просвечивающего электронного микроскопа. (б) Спектры катодолюминесценции при 300K для структур с множественными квантовыми ямами GaN/AlN, выращенными при различных условиях. (с) Зависимости импульсной выходной оптической мощности от тока электронного пучка с энергией 12.5 кэВ для структур, приведенных на рисунке (б).

Направление ПФНИ 1.3.2.5.

Публикации

  1. V. Jmerik et al., Monolayer-Range Compositional Modulations in AlxGa1-xN(x = 0.6?0.75) Layers Grown Using Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy under Me-Rich Conditions with an Off-Centered Spatial Distribution of Activated Nitrogen Flux, Phys. Status Solidi A 2022, 219, 2100550.
  2. В.Н. Жмерик, Д.В. Нечаев, А.Н. Семенов, Способ изготовления AlGaN гетероструктуры для солнечно-слепых фотокатодов ультрафиолетового диапазона, Патент РФ № 2781509 от 12.10.2022
Яндекс.Метрика
© 2005–2020 разработка и сопровождение: ОНТИ ФТИ им. А.Ф. Иоффе