Web of Science®
ФТИ в 2000–20 гг.
Статей 24429
Цитируемость
суммарная 320806
на статью 13.1
Индекс Хирша 168
G-индекс 284
Scopus®
ФТИ в 2000–20 гг.
Статей 27588
Цитируемость
суммарная 343916
на статью 12.5
Индекс Хирша 177
G-индекс 295
Основные достижения
Отчет ФТИ 2020
 

Основные достижения 2022 года

Перечень 

Рост гексагонального нитрида бора (hBN) на подложках карбида кремния методом сублимации

Мохов,ЕН; Давыдов,ВЮ; Смирнов,АН; Нагалюк,СС
лаб. электроники полупроводников с большой энергией связи (Мохова,ЕН)
лаб. спектроскопии твердого тела (Старухина,АН)

Продемонстрирована возможность роста с использованием метода высоко -температурной сублимации из газовой фазы гексагонального нитрида бора (hBN) высокого структурного совершенства на подложках гексагонального карбида кремния (SiC). В данной работе линейный размер выращенных образцов был ограничен только размерами подложки (15мм) (Рис.1), однако этот метод позволяет выращивать монокристаллы SiC диаметром до 4 дюймов. Полученные результаты указывают на перспективность использования данного метода для формирования в ходе одного технологического процесса высоко качественных гетероструктур hBN/SiC большой площади, которые имеют высокий потенциал для приборных применений. Методом ФЛ было установлено, что в процессе высокотемпературного роста монокристаллы hBN оказываются легированными примесью углерода (Рис.2). Дефекты, связанные с примесью углерода в hBN представляют интерес с точки зрения создания на их основе источников одиночных фотонов. Люминесценция таких дефектов в hBN является спин зависимой, что открывает перспективы их использования для квантовых технологий.

Иллюстрации

Поверхность кристалла hBN после роста на подложке 6H-SiC.

Спектр ФЛ образца hBN, выращенного на подложке SiC (красный спектр) и спектр ФЛ образца hBN HQ Graphene (синий спектр).

Работа выполнена в рамках Государственного задания, темы № 0040-2019- 0016 и 0040-2019-0006

Направление ПФНИ 1.3.2.4.

Публикации

  1. Е.Н. Мохов, В.Ю. Давыдов, А.Н. Смирнов, С.С. Нагалюк. Рост гексагонального нитрида бора (hBN) на подложках карбида кремния методом сублимации. Физика и техника полупроводников, 2022, том 56, вып.10, с.1011-1015
Яндекс.Метрика
© 2005–2020 разработка и сопровождение: ОНТИ ФТИ им. А.Ф. Иоффе