Вы здесь: www.ioffe.ru/semicond2013 » Приглашенные докладчики

Приглашенные доклады

И.В. Андреев, В.М. Муравьев, И.В. Кукушкин	ИФТТ
Акустические краевые магнитоплазмоны в двумерных электронных системах

В.В. Белых, Д.А. Мыльников, Н.Н. Сибельдин, В.Д. Кулаковский, М.М. Глазов, М.А. Семина, C. Schneider, S. Hoefling, M. Kamp, A. Forchel	ФИАН
Динамика бозе-эйнштейновской конденсации экситонных поляритонов в полупроводниковом микрорезонаторе

Г.Ю. Васильева, П.С. Алексеев, D. Smirnov, Ю.Б. Васильев, А.П. Дмитриев, В.Ю. Качоровский, H. Schmidt, A. Heine, R.J. Haug, Ю.Л. Иванов	ФТИ им. А.Ф. Иоффе
Положительное магнетосопротивление в графене вдали от точки Дирака

А.И. Вейнгер, А.Г. Забродский, Т.Л. Макарова, Т.В. Тиснек, С.И. Голощапов, П.В. Семенихин	ФТИ им. А.Ф. Иоффе
Наблюдение ферро- и антиферромагнитное упорядочения спиновой системы Ge:As вблизи фазового перехода изолятор – металл

В.И. Гавриленко, С.В. Морозов, А.А. Дубинов, М.С. Жолудев, В.В. Румянцев, В.Я. Алёшкин, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий	ИФМ РАН
О возможности создания лазера дальнего ИК диапазона на основе соединений кадмий-ртуть-теллур

С.С. Гаврилов, Н.А. Гиппиус, А.В. Секретенко, В.Д. Кулаковский	ИФТТ
Оптическая мультистабильность и неравновесные переходы в квазидвумерных экситон-поляритонных системах

С.С. Гаврилов Н.А. Гиппиуc	ИОФАН
Акусто-поляритонные эффекты в полупроводниковых микрорезонаторах

В.А. Гайслер	ИФП СО РАН
Излучатели одиночных фотонов и пар запутанных фотонов на основе полупроводниковых квантовых точек

М.М. Глазов	ФТИ им. А.Ф. Иоффе
Когерентная спиновая динамика в полупроводниковых наноструктурах

А.В. Горбунов, М.И. Гущин, В.Б. Тимофеев	ИФТТ
Компенсация спинового расщепления диполярных экситонов в магнитном поле

И.Г. Горлова, С.Г. Зыбцев, В.Я. Покровский, А.Н. Титов	ИРЭ
Степенной вид вольтамперных характеристик и переход полупроводник-изолятор в слоистых вискерах TiS_3

И.В. Грехов	ФТИ им. А.Ф. Иоффе
Российский вариант силовой микроэлектроники

С.В. Иванов, С.В. Сорокин, Е.В. Луценко, С.В. Гронин, И.В. Седова, П.С. Копьев, А.Г. Вайнилович, Н.В. Ржеуцкий, Г.П. Яблонский	ФТИ им. А.Ф. Иоффе
Эффективные сине-зеленые A3N-А2В6 инжекционные лазерные конвертеры: шаги к реализации компактных приборов

А.В. Иконников, М.С. Жолудев, F. Teppe, M. Orlita, O. Drachenko, К.Е. Спирин, К.В. Маремьянин, В.И. Гавриленко, С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов	ИФМ РАН
Магнитооптика дираковских фермионов в узкозонных квантовых ямах HgTe/CdT

М.Ю. Каган, Д.В. Ефремов, М.С. Марьенко, В.В. Вальков	ИФП им. Капицы РАН
Эффект Кона-Латтинжера и аномальное спаривание в новых сверхпроводящих системах и графене

Е.В. Кожемякина, К.С. Журавлев	ИФП СО РАН
Влияние плотности электрон-дырочного газа на кинетику экситонов в GaAs и AlGaAs

Д.А. Козлов, Е.Б. Ольшанецкий, З.Д. Квон, D. Weiss, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий	ИФП СО РАН
Трехмерный топологический изолятор на основе напряженного HgTe

И.В. Крайнов, В.Ф. Сапега, Н.И. Саблина, Г.С. Димитриев, Н.С. Аверкиев, K.H. Ploog	ФТИ им. А.Ф. Иоффе
Управление намагниченностью внешними полями в магнитном полупроводнике (Ga,Mn)As.

И.В. Кукушкин, Д. Карчер, К. Клитцинг, Ю. Смет	ИФТТ
Магнитоплазменные возбуждения и перенормировка скорости электронов и дырок в подвешенном графене, измеренные методом неупругого рассеяния света.

Л.В. Кулик	ИФТТ
Коллективная прецессия спиновых текстур и спин текстурные жидкости

М.А. Ладугин, А.А. Падалица, A.С. Мешков, А.В. Лобинцов, С.М. Сапожников, А.И. Данилов, Е.И. Лебедева, А.А. Мармалюк, В.А. Симаков	ОАО «НИИ «Полюс» им. М.Ф. Стельмаха»
Многоцветные решетки лазерных диодов спектрального диапазона 780-830 нм

Ю.Е. Лозовик	ИСАН
Электронные и коллективные свойства

А.А. Мармалюк, Т.А. Багаев, П.В. Горлачук, А.И. Данилов, М.В. Зверков, А.В. Иванов, В.П. Коняев, В.В. Кричевский, В.Д. Курносов, М.А. Ладугин, Е.И. Лебедева, А.С. Мешков, С.М. Сапожников, В.И. Романцевич, Ю.Л. Рябоштан, В.А. Симаков	ОАО «НИИ «Полюс» им. М.Ф. Стельмаха»
Интегрированные полупроводниковые лазерные излучатели

В.М. Муравьев, П.А. Гусихин, И.В. Кукушкин	ИФТТ
Новая высокодобротная плазменная мода в двумерной электронной системе с близким металлическим слоем

Ю.А. Пашкин	Lancaster University, ФИАН
Наномеханика – настоящая квантовая механика

В.Я. Покровский, С.Г. Зыбцев, М.В. Никитин	ИРЭ
Кручение квазиодномерных проводников как метод изучения динамических и флуктуационных свойств волны зарядовой плотности.

В.Я. Принц, А.В. Копылов, А.В. Принц	ИФП СО РАН
Электростатические нанодвигатели и перестраиваемые наноматериалы на основе полупроводниковых наногофрировок

М.Г. Прокудина, В.С. Храпай	ИФТТ
Энергетическая релаксация в жидкости Латтинжера, реализованной в квантовом эффекте Холла

В.А. Сабликов, Б.С. Щамхалова	ИРЭ
Метастабильные и спин-поляризованные состояния в электронных системах с локализованным взаимодействием

В.А. Санина, Е.И. Головенчиц	ФТИ им. А.Ф. Иоффе
Мультиферроики - полупроводники

В.Н. Шастин	ИФМ РАН
Лазеры на внутрицентровых переходах мелких примесей в кремнии

А.А. Шевырин, А.Г. Погосов, М.В. Буданцев, А.К. Бакаров, А.И. Торопов, С.В. Ишуткин, Е.В. Шестериков, А.С. Кожухов, Т.А. Гаврилова, С.С. Косолобов	ИФП СО РАН
Эйлеровская неустойчивость наноэлектромеханических систем, изготавливаемых на основе гетероструктур GaAs/AlGaAs

Т.В. Шубина, Н.А. Гиппиус, A.A. Торопов, G. Pozina, B. Monemar, С.В. Иванов	ФТИ им. А.Ф. Иоффе
Когерентные эффекты при рассеянии света вблизи экситонных резонансов в ZnO

Ю.П. Яковлев, М.П. Михайлова, И.А. Андреев, Е.В. Куницына, Н.Д. Ильинская, И.Н. Яссиевич	ФТИ им. А.Ф. Иоффе
Быстродействующие p-i-n и лавинные фотодиоды для среднего ИК-диапазона на основе узкозонных гетероструктур полупроводников А³В⁵

М.В. Якунин, А.В. Суслов, С.М. Подгорных, А.П. Савельев, С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов	ИФМ УрО РАН
Квантовый магнитотранспорт в двойной квантовой яме HgTe с инвертированным энергетическим спектром

Пленарные доклады

М.И. Дьяконов	Университет Монпелье II
Квантовый компьютер: нынешнее состояние и перспективы

Е.Л. Ивченко	ФТИ им. А.Ф. Иоффе
Фотогальваническая спектроскопия полупроводниковых наноструктур