Web of Science®
ФТИ в 2000–20 гг.
Статей 23214
Цитируемость
суммарная 298959
на статью 12.9
Индекс Хирша 164
G-индекс 278
Scopus®
ФТИ в 2000–20 гг.
Статей 25967
Цитируемость
суммарная 325489
на статью 12.5
Индекс Хирша 175
G-индекс 292
Основные достижения
Отчет ФТИ 2020
 

Проекты, выполняемые в 2006-22 годах

Президиум РАН

Год начала проекта

Тип

Руководитель
Отделение
Подразделение

Всего записей: 85, страниц: 15

 7      

Исследование электронного и фононного переноса в наноструктурах в условиях сильной неравновесности.
Руководитель(и): Гуревич,ВЛ, сектор физической кинетики и электроакустических явлений
2009–2009 Тип: исследовательский Программа: Основы фундаментальных исследований нанотехнологий и наноматериалов

 8      

Теория резонансной оптической и фотоэлектрической спектроскопии наноструктур
Руководитель(и): Ивченко,ЕЛ, сектор теории квантовых когерентных явлений в твердом теле
2009–2009 Тип: исследовательский Программа: Основы фундаментальных исследований нанотехнологий и наноматериалов

 9      

Теоретическое изучение магнетотран-спорта, спиновой динамики и плаз-менных эффектов в низкоразмерных полупроводниковых структурах.
Руководитель(и): Качоровский,ВЮ, сектор теории оптических и электрических явлений в полупроводниках
2009–2009 Тип: исследовательский Программа: Основы фундаментальных исследований нанотехнологий и наноматериалов

 10      

Нейтральные и отрицательно заряженные экситоны в структурах с квантовыми ямами и квантовыми точками.
Руководитель(и): Кочерешко,ВП, лаб. спектроскопии твердого тела
2009–2009 Тип: исследовательский Программа: Основы фундаментальных исследований нанотехнологий и наноматериалов

 11      

Исследование механизмов усиления электрон-фононного взаимодействия в полупроводниковых наноструктурах.
Руководитель(и): Маслов,АЮ, лаб. неравновесных процессов в полупроводниках
2009–2009 Тип: исследовательский Программа: Основы фундаментальных исследований нанотехнологий и наноматериалов

 12      

Электролюминесцентные, транспортные и фотоэлектрические свойства наногетероструктур II типа с квантовыми ямами и квантовыми точками на основе узкозонных полупроводников А3В5 (InSb-InAs-GaSb).
Руководитель(и): Михайлова,МП, лаб. инфракрасной оптоэлектроники
2009–2009 Тип: исследовательский Программа: Основы фундаментальных исследований нанотехнологий и наноматериалов
firstprev 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 nextfrwd10last
Яндекс.Метрика
© 2005–2020 разработка и сопровождение: ОНТИ ФТИ им. А.Ф. Иоффе