Общая информация
Наукометрия
Новости
Пресс–релизы
Инициативы
Структура и тематики
Совет по астрофизике
Совет молодых ученых
Профсоюзная организация
Закупки
Подготовка кадров
Базовые кафедры ФТИ
Аспирантура
Защиты диссертаций
Научные школы
Конкурсы
Аттестация
Должностные инструкции
Результаты
Основные результаты
Публикации сотрудников
Патенты
УНУ «Глобус-М»
УНУ «Циклотрон ФТИ»
УНУ «Токамак ТУМАН-3М»
Федеральные программы
Проекты Минобрнауки
ЦКП
Международные программы
Проекты
Конкурсные премии
Отличия сотрудников
Журналы и БД
Журналы
Тематические БД
Мероприятия
Конференции, совещания
Семинары и лекции
Разное
Карта сайта
СОУТ
Web of Science®
ФТИ в 2000–20 гг.
Статей
23250
Цитируемость
суммарная
305595
на статью
13.1
Индекс Хирша
167
G-индекс
279
Scopus®
ФТИ в 2000–20 гг.
Статей
26546
Цитируемость
суммарная
332222
на статью
12.5
Индекс Хирша
175
G-индекс
293
Основные достижения
Сферический токамак Глобус-М2 с увеличенным магнитным полем
Оптомеханический эффект Керкера
Новый контрастный агент для магниторезонансной томографии на основе наноалмазов
Управление обменным взаимодействием при помощи электрического поля в гибридных системах ферромагнетик/полупроводник
Объединённая диагностика диверторной плазмы токамака ИТЭР на основе томсоновского рассеяния и лазерно индуцированной флуоресценции
Полевые транзисторы на основе гетероструктур 2D-полупроводник — эпитаксиальный фторид для микроэлектроники нового поколения
Сверхбыстрая оптическая генерация магнитостатических волн с большой длиной распространения в структурах FeGa/GaAs
Управление проводимостью In
х
Ga
1-х
As нитевидных нанокристаллов с помощью механической деформации
Исследование микропор в монокристаллах SiC методом фазово-контрастного изображения в синхротронном излучении
Кристаллическая структура, Рамановская спектроскопия и диэлектрические свойства новых полуорганических кристаллов на основе 2-метилбензимидазола
Селективно настраиваемые фотоэлектрические преобразователи мощного лазерного излучения на метаморфных гетероструктурах
Экситонная люминесценция в нанотрубках на основе дихалькогенидных соединений
Малощумяшие гетерофотодиоды на основе InAs
Лазерные аддитивные технологии для интегрально-оптических схем на подложках ниобата лития
Передающий радиофотонный тракт для АФАР на основе мощных СВЧ полупроводниковых лазеров и фотодетекторов
Отчет ФТИ 2020
Проведение аттестации работников, занимающих должности научных работников
Положение об аттестационной комиссии и порядке проведения аттестации работников, занимающих должности научных работников ФТИ им. А.Ф. Иоффе
Столетие
Исторический очерк
События, отклики, справки
Официальные данные
Контакты
© 2005–2020 разработка и сопровождение: ОНТИ ФТИ им. А.Ф. Иоффе
