Общая информация
Наукометрия
Новости
Пресс–релизы
Инициативы
Структура и тематики
Совет по астрофизике
Совет молодых ученых
Профсоюзная организация
Закупки

Подготовка кадров

Базовые кафедры ФТИ
Аспирантура
Защиты диссертаций
Научные школы
Конкурсы
Аттестация
Должностные инструкции

Результаты

Основные результаты
Публикации сотрудников
Патенты
УНУ «Глобус-М»
УНУ «Циклотрон ФТИ»
УНУ «Токамак ТУМАН-3М»
Федеральные программы
Проекты Минобрнауки
ЦКП
Международные программы
Проекты
Конкурсные премии
Отличия сотрудников

Журналы и БД

Журналы
Тематические БД

Мероприятия

Конференции, совещания
Семинары и лекции

Разное

Карта сайта
СОУТ
Web of Science®
ФТИ в 2000–20 гг.
Статей 25002
Цитируемость
суммарная 322859
на статью 12.9
Индекс Хирша 169
G-индекс 285
Scopus®
ФТИ в 2000–20 гг.
Статей 28141
Цитируемость
суммарная 347688
на статью 12.4
Индекс Хирша 177
G-индекс 296
Основные достижения
Сферический токамак Глобус-М2 с увеличенным магнитным полем
Оптомеханический эффект Керкера
Новый контрастный агент для магниторезонансной томографии на основе наноалмазов
Управление обменным взаимодействием при помощи электрического поля в гибридных системах ферромагнетик/полупроводник
Объединённая диагностика диверторной плазмы токамака ИТЭР на основе томсоновского рассеяния и лазерно индуцированной флуоресценции
Полевые транзисторы на основе гетероструктур 2D-полупроводник — эпитаксиальный фторид для микроэлектроники нового поколения
Сверхбыстрая оптическая генерация магнитостатических волн с большой длиной распространения в структурах FeGa/GaAs
Управление проводимостью InхGa1-хAs нитевидных нанокристаллов с помощью механической деформации
Исследование микропор в монокристаллах SiC методом фазово-контрастного изображения в синхротронном излучении
Кристаллическая структура, Рамановская спектроскопия и диэлектрические свойства новых полуорганических кристаллов на основе 2-метилбензимидазола
Селективно настраиваемые фотоэлектрические преобразователи мощного лазерного излучения на метаморфных гетероструктурах
Экситонная люминесценция в нанотрубках на основе дихалькогенидных соединений
Малощумяшие гетерофотодиоды на основе InAs
Лазерные аддитивные технологии для интегрально-оптических схем на подложках ниобата лития
Передающий радиофотонный тракт для АФАР на основе мощных СВЧ полупроводниковых лазеров и фотодетекторов
Отчет ФТИ 2020
 

Защиты диссертаций

О советах Предстоящие защиты Состоявшиеся защиты Видеозаписи защит Сводка

Состоявшиеся защиты диссертаций

Диссертант
Руководитель
 
Месяц

Год
Всего записей: 596
Четверг, 24 ноября 2011
   Автореферат 
Шабунина,ЕИ, ФТИ
 Лаб. Иванова,СВ
Низкочастотный шум в светодиодах на основе квантоворазмерных InGaN/GaN структур
Диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук по специальности физика полупроводников (01.04.10), совет: Д 002.205.02
Место выполнения работы: ФТИ
Руководитель(и) (консультант): Шмидт,НМ
Утверждена ВАК: 23 июля 2012, протокол: 463нк
Четверг, 24 ноября 2011
   Автореферат 
Бакшаев,ИО, ФТИ
 Лаб. Портного,ЕЛ
Интегрально-оптическая абсорбционная спектроскопия полупроводниковых наногетероструктур
Диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук по специальности физика полупроводников (01.04.10), совет: Д 002.205.02
Место выполнения работы: ФТИ
Руководитель(и) (консультант): Портной,ЕЛ
Утверждена ВАК: 28 апреля 2012, протокол: 148/нк
Четверг, 20 октября 2011
   Автореферат 
Кашерининов,ПГ, ФТИ
 Лаб. Белькова,ВВ
Оптические регистрирующие среды на основе полупроводниковых M(TI)S-структур с тунельно-тонким диэлектриком (TI)
Диссертация на соискание ученой степени докт. физ.-мат. наук по специальности физика полупроводников (01.04.10), совет: Д 002.205.02
Место выполнения работы: ФТИ
Утверждена ВАК: 31 августа 2012, протокол: 679н/к
Четверг, 20 октября 2011
   Автореферат 
Емельянов,ВМ, ФТИ
 Лаб. Луке Лопеса,АИ
Математическое моделирование и исследование характеристик многопереходных А3В5 фотоэлектрических преобразователей солнечного излучения
Диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук по специальности физика полупроводников (01.04.10), совет: Д 002.205.02
Место выполнения работы: ФТИ
Руководитель(и) (консультант): Лантратов,ВМ
Утверждена ВАК: 23 июля 2012, протокол: 463нк
Среда, 05 октября 2011
   Автореферат 
Тимошнев,СН, ФТИ
 Лаб. Берковица,ВЛ
Электронная структура границ раздела Cs/InGaN, Cs/GaN, Ba/GaN, Ba/AlGaN и формирование аккумуляционного слоя
Диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук по специальности физика полупроводников (01.04.10), совет: ДМ 002.269.01
Место выполнения работы: СПб Академический университет - НОЦ нанотехнологий
Руководитель(и) (консультант): Бенеманская,ГВ
Четверг, 23 июня 2011
   Автореферат 
Лебедев,ДВ, ФТИ
 Лаб. Кусраева,ЮГ
Молекулярная подвижность в приповерхностных нанослоях полимеров
Диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук по специальности физика конденсированного состояния (01.04.07), совет: Д 002.205.01
Место выполнения работы: ФТИ
Руководитель(и) (консультант): Мясникова,ЛП
Утверждена ВАК: 27 декабря 2011, протокол: 35/нк
Четверг, 16 июня 2011
   Автореферат 
Гагис,ГС, ФТИ
 Лаб. Портного,ЕЛ
Новые полупроводниковые материалы на основе соединений A3B5 для оптоэлектронных устройств на длины волн 3 - 5 мкм
Диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук по специальности физика полупроводников (01.04.10), совет: Д 002.205.02
Место выполнения работы: ФТИ
Руководитель(и) (консультант): Кучинский,ВИ
Утверждена ВАК: 27 декабря 2011, протокол: 35к
Четверг, 16 июня 2011
   Автореферат 
Мамутин,ВВ, ФТИ
 Лаб. Устинова,ВМ
Разработка физических основ молекулярно - пучковой эпитаксии для создания полупроводниковых наноструктцр и ВТСП соединений
Диссертация на соискание ученой степени докт. физ.-мат. наук по специальности физика полупроводников (01.04.10), совет: Д 002.205.02
Место выполнения работы: ФТИ
Утверждена ВАК: 18 ноября 2011, протокол: 44д/2
firstback10prev 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 nextfrwd10last
Яндекс.Метрика
© 2005–2020 разработка и сопровождение: ОНТИ ФТИ им. А.Ф. Иоффе