Web of Science®
ФТИ в 2000–20 гг.
Статей 23074
Цитируемость
суммарная 291988
на статью 12.7
Индекс Хирша 163
G-индекс 273
Scopus®
ФТИ в 2000–20 гг.
Статей 25647
Цитируемость
суммарная 315942
на статью 12.3
Индекс Хирша 173
G-индекс 288
Основные достижения
Отчет ФТИ 2020
 

Основные достижения 2012 года

Перечень 

Быстродействующие p-i-n и лавинные фотодиоды на основе узкозонных гетероструктур полупроводников А3В5 для среднего ИК-диапазона

Яковлев,ЮП; Андреев,ИА; Куницына,ЕВ; Михайлова,МП; Ильинская,НД; Яссиевич,ИН
лаб. инфракрасной оптоэлектроники (Андреева,ИА)
лаб. квантоворазмерных гетероструктур (Иванова,СВ)
сектор теории оптических и электрических явлений в полупроводниках (Аверкиева,НС)

На основе узкозонных полупроводников III-V и их твердых растворов созданы лавинные фотодиоды с разделенными областями поглощения GaInAsSb и умножения GaAlSb («резонансного»состава), работающие при комнатной температуре в спектральном диапазоне 1.6—4.0 мкм и обладающие сверхнизким коэффициентом избыточного шума F~1.6 (M=10). C использование новых конструктивных решений - разделение фоточувствительной и контактной мез с применением технологии «air-bridge» контакта разработаны сверхбыстродействующие GaInAsSb/GaAlAsSb и InAsSb/InAsSbP p-i-n фотодиоды для спектрального диапазона 1.1—4.0 мкм, что позволило снизить величину емкости фотодиодов и достигнуть рекордного быстродействия 50-150 пс (полоса пропускания ≥ 2-5 ГГц).

301 Moved Permanently


nginx/1.16.1
Яндекс.Метрика
© 2005–2020 разработка и сопровождение: ОНТИ ФТИ им. А.Ф. Иоффе