Web of Science®
ФТИ в 2000–20 гг.
Статей 23214
Цитируемость
суммарная 299235
на статью 12.9
Индекс Хирша 164
G-индекс 278
Scopus®
ФТИ в 2000–20 гг.
Статей 25967
Цитируемость
суммарная 325489
на статью 12.5
Индекс Хирша 175
G-индекс 292
Основные достижения
Отчет ФТИ 2020
 

Основные достижения 2016 года

Перечень 

Новые кремниевые приборы силовой импульсной электроники

Грехов,ИВ; Люблинский,АГ; Белякова,ЕИ; Юсупова,ША
лаб. мощных полупроводниковых приборов (Векслера,МИ)

Предложены, разработаны, исследованы и запатентованы два новых кремниевых прибора силовой полупроводниковой импульсной электроники:

  1. Наносекундный диодный размыкатель тока позволяет за 1,5-2 нс размыкать ток с плотностью 5-10 кА/см2. Предназначен для создания сверхмощных генераторов наносекундных импульсов.
  2. Диодный ударно-ионизационный обостритель импульсов тока, формирующий мощный высоковольтный импульс, который нарастает за время <100 пс и имеет высокую стабильность повторения импульсов.

Предназначен для создания излучателей мощных направленных электромагнитных импульсов.

301 Moved Permanently


nginx/1.16.1
  1. Решение о выдаче патента на полезную модель по заявке 2016101357/08 (001875) от 18.01.2016 г. «Полупроводниковый субнаносекундный обостритель импульсов», авторы И.В. Грехов, А.Г. Люблинский.
  2. И.В. Грехов, А.Г. Люблинский, И.А Смирнова Исследование процесса наносекундного обрыва тока с высокой плотностью в SOS-диодах, ЖТФ, 2015 г., т.85, вып.11, стр.104-108.
  3. И.В. Грехов, А.Г. Люблинский, Е.И. Белякова Мощный диодный наносекундный размыкатель на основе p-кремния (p-SOS), ЖТФ, т.86, вып.3, стр.108-109.
  4. Патент на полезную модель 160232 ?Высоковольтный полупроводниковый диод с резким обрывом обратного тока?, авторы: И.В. Грехов, Л.С. Костина, А.Г. Люблинский, приоритет от 19.05.2015 г.
Яндекс.Метрика
© 2005–2020 разработка и сопровождение: ОНТИ ФТИ им. А.Ф. Иоффе