|
|
|
Всего записей: 55
|
|
2009, Премия им. Иоффе
| 
|
Ивченко,ЕЛ; Кочерешко,ВП; Платонов,АВ; Нестоклон,МО; Гуревич,АС
Эффекты ориентации химических связей на полупроводниковом интерфейсе
|
|
Лаб. Ивченко,ЕЛ;Феофилова,СП;Феофилова,СП;Ивченко,ЕЛ;Феофилова,СП
|
|
2008, Премия им. Константинова
|
|
Аптекарь,РЛ;Голенецкий,СВ;Мазец,ЕП;Пальшин,ВД;Фредерикс,ДД
Обнаружение и исследование гигантских всплесков мягких гамма-репитеров от близких галактик
|
|
Лаб. Мазеца,ЕП;Мазеца,ЕП;Мазеца,ЕП;Мазеца,ЕП;Мазеца,ЕП
|
|
2007, Премия им. Френкеля
|
|
Иванов-Омский,ВИ; Смирнов,ВА; Матвеев,БА; Стусь,НМ
Обнаружение и исследование явления отрицательной люминесценции в полупроводниках, и создание приборов
|
|
Лаб. Иванова-Омского,ВИ;Иванова-Омского,ВИ;Яковлева,ЮП;Яковлева,ЮП
|
|
2006, Премия им. Иоффе
|
|
Сурис,РА; Петров,МП; Брыксин,ВВ
Волны перезарядки ловушек в полупроводниках
|
|
Лаб. Суриса,РА;Шамрая,АВ;Фирсова,ЮА
|
|
2005, Премия им. Френкеля
|
|
Гольцев,АВ; Дьяконов,КВ; Попов,ВВ; Яхкинд,ЭЗ
Открытие и исследование аномального акустоэлектрического эффекта
|
|
Лаб. Фирсова,ЮА;Волкова,ВВ;Парфеньева,РВ;Волкова,ВВ
|
|
2005, Премия им. Константинова
|
|
Агеев,ВН; Кузнецов,ЮА; Потехина,НД
Электронно-стимулированная десорбция атомов и ионов щелочных, щелочно-земельных и редкоземельных металлов
|
|
Лаб. Агеева,ВН;Агеева,ВН;Агеева,ВН
|
|
2005, Премия им. Иоффе
|
|
Михайлова,МП; Моисеев,КД; Парфеньев,РВ; Титков,АН; Яковлев,ЮП
Гетеропереходы II типа на основе полупроводников A3B5 (система GaSb-InAs): создание, физические свойства и применение в оптоэлектронике
|
|
Лаб. Яковлева,ЮП;Яковлева,ЮП;Парфеньева,РВ;Титкова,АН;Яковлева,ЮП
|
|
2004, Премия им. Константинова
|
|
Гордеев,ЮС; Огурцов,ГН; Овчинников,СЮ
Динамические процессы в атомной и молекулярной физике
|
|
Лаб. Гордеева,ЮС;Гордеева,ЮС;Гордеева,ЮС
|
|
2004, Премия им. Френкеля
|
|
Кособукин,ВА
Магнитооптические эффекты, усиленные поверхностными плазмонами, и теория ближнеполевой оптики и микроскопии магнитных наноструктур
|
|
Лаб. Самсонова,АМ
|
|
2004, Премия им. Иоффе
|
|
Аверкиев,НС; Березовец,ВА; Богомолов,ВН; Фарбштейн,ИИ; Шеланков,АЛ
Двумерные дырочные носители заряда на поверхности теллура.(Электронный спектр, гальваномагнитные свойства и эффект слабой локализации в условиях особой роли тау-симметрии)
|
|
Лаб. Яссиевич,ИН;Парфеньева,РВ;Кумзерова,ЮА;Парфеньева,РВ;Козуба,ВИ
|
