Способ получения кристаллических алмазных частиц
Патент РФ #2576055 от
02 февраля 2016, тип: Изобретение Шахов,ФМ; Кидалов,СВ; Баранов,ПГ; Бабунц,РА; Саксеев,ДА; Алексенский,АЕ; Байдакова,МВ; Вуль,АЯ
Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН
Авторы-сотрудники ФТИ: Шахов,ФМ, Кидалов,СВ, Баранов,ПГ, Бабунц,РА, Саксеев,ДА, Алексенский,АЕ, Байдакова,МВ, Вуль,АЯ
Подразделения: Вуля,АЯ, Вуля,АЯ, Баранова,ПГ, Баранова,ПГ, Брункова,ПН, Вуля,АЯ, Брункова,ПН, Вуля,АЯ
Способ изготовления гетероструктурного солнечного элемента
Патент РФ #2575974 от
01 февраля 2016, тип: Изобретение Андреев,ВМ; Ильинская,НД; Малевская,АВ; Калиновский,ВС; Контрош,ЕВ; Лебедева,НД
Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН
Авторы-сотрудники ФТИ: Андреев,ВМ, Ильинская,НД, Малевская,АВ, Калиновский,ВС, Контрош,ЕВ
Подразделения: Андреева,ВМ, Иванова,СВ, Копьева,ПС, Копьева,ПС, Копьева,ПС
Способ изготовления фотопреобразователя на основе GaSb
Патент РФ #2575972 от
01 февраля 2016, тип: Изобретение Андреев,ВМ; Хвостиков,ВП; Сорокина,СВ; Хвостикова,ОА; Потапович,НС
Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН
Авторы-сотрудники ФТИ: Андреев,ВМ, Хвостиков,ВП, Сорокина,СВ, Хвостикова,ОА, Потапович,НС
Подразделения: Андреева,ВМ, Копьева,ПС, Копьева,ПС, Андреева,ВМ, Копьева,ПС
Способ формирования многослойного омического контакта к приборам на основе арсенида галлия
Патент РФ #2575977 от
01 февраля 2016, тип: Изобретение Солдатенков,ФЮ; Усикова,АА; Андреев,ВМ
Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН
Авторы-сотрудники ФТИ: Солдатенков,ФЮ, Усикова,АА, Андреев,ВМ
Подразделения: Копьева,ПС, Иванова,СВ, Андреева,ВМ
Способ определения ориентации NV дефектов в кристалле
Патент РФ #2570471 от
10 декабря 2015, тип: Изобретение Баранов,ПГ; Солтамов,ВА; Анисимов,АН; Музафарова,МВ; Бабунц,РА
Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН
Авторы-сотрудники ФТИ: Баранов,ПГ, Солтамов,ВА, Анисимов,АН, Музафарова,МВ, Бабунц,РА
Подразделения: Баранова,ПГ, Баранова,ПГ, Баранова,ПГ, Баранова,ПГ, Баранова,ПГ