Способ изготовления чипов многослойных фотоэлементов
Патент РФ #2492555 от
10 сентября 2013, тип: Изобретение Андреев,ВМ; Ильинская,НД; Лантратов,ВМ; Малевская,АВ; Задиранов,ЮМ; Усикова,АА
Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН
Авторы-сотрудники ФТИ: Андреев,ВМ, Ильинская,НД, Лантратов,ВМ, Малевская,АВ, Задиранов,ЮМ, Усикова,АА
Подразделения: Андреева,ВМ, Иванова,СВ, Андреева,ВМ, Иванова,СВ, Иванова,СВ, Иванова,СВ
Устройство мониторинга работы солнечной батареи
Патент РФ #132212 от
10 сентября 2013, тип: Изобретение Андреев,ВМ; Румянцев,ВД; Ларионов,ВР; Покровский,ПВ; Малевский,ДА; Малевская,АВ
Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН
Авторы-сотрудники ФТИ: Андреев,ВМ, Румянцев,ВД, Ларионов,ВР, Покровский,ПВ, Малевский,ДА, Малевская,АВ
Подразделения: Андреева,ВМ, Андреева,ВМ, Андреева,ВМ, Андреева,ВМ, Андреева,ВМ, Иванова,СВ
Высоковольтный полупроводниковый диод с резким обрывом обратного тока
Патент РФ #11532 от
20 августа 2013, тип: Полезная модель Грехов,ИВ; Рожков,АВ; Воронков,ВБ
Правообладатели: Мегаимпульс
Авторы-сотрудники ФТИ: Грехов,ИВ, Рожков,АВ, Воронков,ВБ
Подразделения: Грехова,ИВ, Тарасова,ИС, Грехова,ИВ
Полупроводниковый приемник инфракрасного излучения
Патент РФ #2488916 от
27 июля 2013, тип: Изобретение Гребенщикова,ЕА; Шерстнев,ВВ; Старостенко,ДА; Куницына,ЕВ; Коновалов,ГГ; Андреев,ИА; Яковлев,ЮП
Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН
Авторы-сотрудники ФТИ: Гребенщикова,ЕА, Шерстнев,ВВ, Старостенко,ДА, Куницына,ЕВ, Коновалов,ГГ, Андреев,ИА, Яковлев,ЮП
Подразделения: Яковлева,ЮП, Яковлева,ЮП, Иванова,СВ, Яковлева,ЮП, Яковлева,ЮП, Яковлева,ЮП, Яковлева,ЮП
Устройство контроля и управления литий-ионной аккумуляторной батареи
Патент РФ #130455 от
20 июля 2013, тип: Полезная модель Жданов,ВВ; Рыкованов,АС
Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН
Авторы-сотрудники ФТИ: Жданов,ВВ, Рыкованов,АС
Подразделения: Жданова,ВВ, Жданова,ВВ