Способ формирования контакта для наногетероструктуры
фотоэлектрического преобразователя на основе арсенида галлия
Патент РФ #2428766 от
10 сентября 2011, тип: Изобретение Андреев,ВМ; Калюжный,НА; Лантратов,ВМ; Солдатенков,ФЮ; Усикова,АА
Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН
Авторы-сотрудники ФТИ: Андреев,ВМ, Калюжный,НА, Лантратов,ВМ, Солдатенков,ФЮ, Усикова,АА
Подразделения: Андреева,ВМ, Андреева,ВМ, Андреева,ВМ, Андреева,ВМ, Иванова,СВ
Полупроводниковый генератор высоковольтных импульсов наносекундным фронтом нарастания
Патент РФ #107651 от
20 августа 2011, тип: Полезная модель Аристов,ЮВ; Коротков,СВ
Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН
Авторы-сотрудники ФТИ: Аристов,ЮВ, Коротков,СВ
Подразделения: Короткова,СВ, Короткова,СВ
Солнечный фотоэлектрический модуль на основе наногетероструктурных
фотопреобразователей
Патент РФ #2426198 от
10 августа 2011, тип: Изобретение Андреев,ВМ; Власов,АС; Ракова,ЕП
Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН
Авторы-сотрудники ФТИ: Андреев,ВМ, Ракова,ЕП
Подразделения: Андреева,ВМ, Андреева,ВМ
Способ изготовления наноструктурного омического контакта
фотоэлектрического преобразователя
Патент РФ #2426194 от
10 августа 2011, тип: Изобретение Андреев,ВМ; Солдатенков,ФЮ; Сорокина,СВ; Хвостиков,ВП
Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН
Авторы-сотрудники ФТИ: Андреев,ВМ, Солдатенков,ФЮ, Сорокина,СВ, Хвостиков,ВП
Подразделения: Андреева,ВМ, Андреева,ВМ, Андреева,ВМ, Андреева,ВМ
Способ измельчения кристаллического порошкового материала
Патент РФ #2423182 от
10 июля 2011, тип: Изобретение Клявин,ОВ; Дринберг,АС; Ицко,ЭФ; Чернов,ЮМ
Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН
Авторы-сотрудники ФТИ: Клявин,ОВ, Чернов,ЮМ
Подразделения: Кардашева,БК, Кардашева,БК