Полупроводниковое переключающее устройство
Патент РФ #97006 от
20 августа 2010, тип: Полезная модель Грехов,ИВ
Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН
Авторы-сотрудники ФТИ: Грехов,ИВ
Подразделения: Грехова,ИВ
Туннельно-связанная полупроводниковая гетероструктура
Патент РФ #2396655 от
10 августа 2010, тип: Изобретение Тарасов,ИС; Арсентьев,ИН; Винокуров,ДА; Пихтин,НА; Симаков,ВА; Коняев,ВП; Мармалюк,АА; Ладугин,МА
Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН
Авторы-сотрудники ФТИ: Тарасов,ИС, Арсентьев,ИН, Винокуров,ДА, Пихтин,НА
Подразделения: Тарасова,ИС, Тарасова,ИС, Тарасова,ИС, Тарасова,ИС
Способ изготовления интегрированных Шоттки-pn диодов на основе карбида кремния
Патент РФ #2395868 от
27 июля 2010, тип: Изобретение Грехов,ИВ; Иванов,ПА; Потапов,АС; Самсонова,ТП; Коньков,ОИ; Ильинская,НД
Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН
Авторы-сотрудники ФТИ: Грехов,ИВ, Иванов,ПА, Потапов,АС, Самсонова,ТП, Коньков,ОИ, Ильинская,НД
Подразделения: Грехова,ИВ, Грехова,ИВ, Грехова,ИВ, Грехова,ИВ, Терукова,ЕИ, Иванова,СВ
Высоковольтный полупроводниковый прибор
Патент РФ #2395869 от
27 июля 2010, тип: Изобретение Грехов,ИВ; Рожков,АВ
Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН
Авторы-сотрудники ФТИ: Грехов,ИВ, Рожков,АВ
Подразделения: Грехова,ИВ, Тарасова,ИС
Способ для измерения размеров наночастиц и устройство для измерения спектров магнитного резонанса
Патент РФ # 2395448 от
27 июля 2010, тип: Изобретение Бабунц,РА; Бадалян,АГ; Баранов,ПГ; Романов,НГ
Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН
Авторы-сотрудники ФТИ: Бабунц,РА, Бадалян,АГ, Баранов,ПГ, Романов,НГ
Подразделения: Баранова,ПГ, Баранова,ПГ, Баранова,ПГ, Баранова,ПГ