Прозрачная керамическая композиция
Патент РФ #2359832 от
27 июня 2009, тип: Изобретение Кожушко,АА; Синани,АБ; Зильбербранд,ЕЛ
Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН
Авторы-сотрудники ФТИ: Кожушко,АА, Синани,АБ, Зильбербранд,ЕЛ
Подразделения: Синани,АБ, Синани,АБ, Синани,АБ
Способ изготовления фотоэлектрического преобразователя
Патент РФ #2354008 от
27 апреля 2009, тип: Изобретение Андреев,ВМ; Сорокина,СВ; Хвостиков,ВП
Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН
Авторы-сотрудники ФТИ: Андреев,ВМ, Сорокина,СВ, Хвостиков,ВП
Подразделения: Андреева,ВМ, Андреева,ВМ, Андреева,ВМ
Способ изготовления фотоэлектрических преобразователей на основе многослойной структуры
Патент РФ #2354009 от
27 апреля 2009, тип: Изобретение Андреев,ВМ; Ильинская,НД; Калюжный,НА; Лантратов,ВМ; Малевская,АВ; Минтаиров,СА
Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН
Авторы-сотрудники ФТИ: Андреев,ВМ, Ильинская,НД, Калюжный,НА, Лантратов,ВМ, Малевская,АВ, Минтаиров,СА
Подразделения: Андреева,ВМ, Иванова,СВ, Андреева,ВМ, Андреева,ВМ, Иванова,СВ, Андреева,ВМ
Способ подавления шума канала связи при передаче сигнала двумерного изображения
Патент РФ #2350021 от
20 марта 2009, тип: Изобретение Подласкин,БГ; Гук,ЕГ; Сухарев,АА
Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН
Авторы-сотрудники ФТИ: Подласкин,БГ, Гук,ЕГ, Сухарев,АА
Подразделения: Подласкина,БГ, Подласкина,БГ, Подласкина,БГ
Способ выращивания многослойной структуры на основе InGaN посредством плазменного МВЕ
Патент РФ #2344509 от
20 января 2009, тип: Изобретение Ким,БумДзоон; Коике,Масайоси; Ким,МинХо; Иванов,СВ; Жмерик,ВН
Правообладатели: САМСУНГ ЭЛЕКТРО-МЕКАНИКС КО., ЛТД. (KR), ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН (RU)
Авторы-сотрудники ФТИ: Иванов,СВ, Жмерик,ВН
Подразделения: Иванова,СВ, Иванова,СВ