Программа симпозиума
Среда, 14 ноября 2018 года
Академический университет Актовый зал
|
|
Мощные полупроводниковые лазеры
|
| 11:00 |
А.А Мармалюк, А.В Иванов, В.Д Курносов, К.В Курносов, М.А Ладугин, А.В Лобинцов, Ю.Л Рябоштан, А.А Падалица, В.И Романцевич,
С.М Сапожников, В.Н Светогоров, В.А Симаков
Полупроводниковые лазеры AlGaInAs/InP с повышенным электронным барьером
|
| 11:20 |
С.О Слипченко, А.А Подоскин, О.С Соболева, В.В Васильева,
Д.Н Николаев, Т.А Багаев, М.А Ладугин, А.А Мармалюк, В.А Симаков, Н.А Пихтин
Интегральные и гибридные подходы для решения задач генерации мощных лазерных импульсов полупроводниковыми гетероструктурами
|
| 11:40 |
М.В Максимов, А.С Паюсов, А.А Серин, Ю.М Шерняков, Н.Ю Гордеев, Э.И Моисеев, Н.В Крыжановская, Ф.И Зубов, А.М Надточий,
С.А Минтаиров, Н.А Калюжный, М.М Кулагина, Ю.М Задиранов, А.Е Жуков
Квантовые яма-точки — новый тип активной области светоизлучающих приборов
|
| 12:00 |
Кофе |
| 12:20 |
А.В.. Krysa
Epitaxy of InAs/InP QD structures for lasers and entangled LEDs operating around 1.55 μm and beyond
|
| 12:40 |
М.А Ладугин, А.А МармалюкА.В.
Оптимизация конструкции эпитаксиальных гетероструктур AlGaAs/GaAs с целью достижения максимального КПД полупроводниковых лазеров
|
| 13:00 |
Д.А Веселов, Ю.К Бобрецова, А.В Лютецкий, К.В Бахвалов, С.О Слипченко, Н.А Пихтин
Исследование внутренних оптических потерь в лазерных гетероструктурах методом ввода зондирующего излучения
|
| 13:20 |
Н.Ю Гордеев, А.С Паюсов, А.А Серин, Ю.М Шерняков, С.А Минтаиров, Н.А Калюжный, М.В Максимов, А.Е Жуков
Конкуренция вертикальных мод в лазерах с узким полосковым волноводом
|
| 13:40 |
Обед |
Полупроводниковые лазеры видимого и УФ диапазона
|
| 14:40 |
В.Н Жмерик, Д.В Нечаев, А.А Торопов, Е.А Европейцев, М.А Яговкина, О.А Кошелев, В.И Козловский, В.П Мартовицкий, Е.В Луценко,
Н.В Ржеуцкий, С.В Иванов
Спонтанное и стимулированное УФ-излучение из периодических
гетероструктур GaN/AlN с монослойными толщинами, выращенных с помощью плазменно-активированной молекулярно-пучковой эпитаксии
|
| 15:00 |
Е.В Луценко, Н.В Ржеуцкий, А.В Нагорный, В.Н Жмерик, Д.В Нечаев, С.В Иванов
Локализация неравновесных носителей заряда, фотолюминесценция и стимулированное излучение сверхтонких квантовых ям GaN/AlN
|
| 15:20 |
Е.В Луценко, Н.В Ржеуцкий, А.Г.Войнилович, И.Е Свитенков, В.А Шуленкова, Г.П Яблонский, А.Н Алексеев, С.И Петров, Я.А Соловьёв, А.Н Петлицкий, Д.В Жигулин, В.А Солодуха
Стимулированное излучение эпитаксиальных слоев AlGaN, выращенных аммиачной молекулярно пучковой эпитаксией
|
| 15:40 |
Н.Н Леденцов, В.А Щукин, Ю.М Шерняков, М.М Кулагина, А.С Паюсов, Н.Ю Гордеев, М.В Максимов, А.Е Жуков
Жёлто-оранжевые инжекционные лазеры на квантовых точках в структурах InGaAlP на высокоиндексных подложках GaAs
|
| 16:00 |
Кофе |
|
16:00–18:00 |
Стендовая сессия
|
|
Напечатать