Стендовая сессия

Среда, 14 ноября 2018 года

Академический университет

Получение полупроводниковых лазерных структур

Артёмов Е.А., Мантузов А.В., Зарезов М.А., Артёмов А.С. Изготовление подложек для создания гетеролазеров различного типа

Середин П.В., Леньшин А.С., Арсентьев И.Н., Николаев Д.Н., Пихтин Н.А. Податливые подложки на основе протопористого кремния для роста интегрированных GaAs/Si гетероструктур

Середин П.В., Золотухин Д.С., Леньшин А.С., Голощапов Д.Л. Использование Si(111) подложек с нанопористым слоем для получения GaN буферных слоев для последующего формирования приборных ГС

Середин П.В., Золотухин Д.С., Леньшин А.С., Голощапов Д.Л. Использование буферного por-Si слоя для формирования однородного массива InGaN наноколонн

Леньшин А.С., Середин П.В., Мизеров А.М., Бельтюков А.Н., Гильмутдинов Ф.З. Исследования состава наноразмерных гетероструктур GaN/por-Si/Si(111), полученных методом плазменно-активированной молекулярно пучковой эпитаксии

Середин П.В., Терехов В.А., Барков К.А., Арсентьев И.Н., Бондарев А.Д, Фомин Е.В. Фазовый состав, морфология, оптические и электроные характеристики наноразмерных пленок AlN, выращенных на подложках GaAs(100) с разориентацией

Фомин Е.В., Бондарев А.Д., Сошников И.П., Растегаева М.Г., Воронкова Н.В., Пихтин Н.А. Дефекты поверхности тонкой плёнки AlN, осаждённой на торцевое зеркало лазерной гетероструктуры AlGaAs/GaAs

Зверев М.М., Гамов Н.А., Гладышев Н.И., Жданова Е.В., Локтионов Д.Е., Студенов В.Б., Митюхляев В.Б., Курешов В.А., Мазалов А.В., Мармалюк А.А., Падалица А.А., Сабитов Д.Р. Загрязнения поверхности структур AlGaN/InGaN/GaN - активных элементов лазеров с электронно-лучевой накачкой

Митрофанов М.И., Левицкий Я.В., Вознюк Г.В., Татаринов Е.Е., Родин С.Н., Лундин В.В., Евтихиев В.П., Мизеров М.Н. Особенности формирования сфокусированным ионным пучком масок в структуре Si3N4/GaN для селективной эпитаксии

Левицкий Я.В., Митрофанов М.И., Вознюк Г.В., Николаев Д.Н., Мизеров М.Н., Евтихиев В.П. Отжиг СИП-индуцированных дефектов в гетероструктуре GaAs/AlGaAs

Власов Ю.Н., Котов Г.И., Буданов А.В., Сыноров Ю.В. Пассивация поверхности полупроводников GaAsP и AlxGa(1-x)As (х - 0.15) в процессе термической обработки в парах селена

Светогоров В.Н., Акчурин Р.Х., Мармалюк А.А., Ладугин М.А., Рябоштан Ю.Л., Яроцкая И.В. Совершенствование гетероструктуры AlGaInAs/InP для лазерных диодов с длиной волны излучения 1.55 мкм

Светогоров В.Н., Иванов А.В., Ладугин М.А., Лызлова Е.В., Мармалюк А.А., Падалица А.А, Рябоштан Ю.Л. Гетероструктуры InGaAsP/InP для однозарядных фотодиодов

Солодовник М.С., Балакирев С.В., Ерёменко М.М., Михайлин И.А., Агеев О.А. Исследование начальной стадии синтеза квантовых точек InAs/AlGaAs методом капельной эпитаксии

Исследование полупроводниковых лазерных структур

Михайлюк Е.А., Котов Г.И., Власов Ю.Н., Прокопова Т.В. Исследование электрофизических характеристик твердых растворов InxAl1-xAs на подложке InP

Ладугин М.А., Андреев А.Ю., Багаев Т.А., Мармалюк А.А., Падалица А.А., Рябоштан Ю.Л., Яроцкая И.В. Фотолюминесцентные исследования квантоворазмерных гетероструктур GaAs/GaInP/GaAs и GaAs/AlGaAs/GaAs, полученных методом МОС-гидридной эпитаксии

Подкопаев А.В., Белоконь А.И., Михайлов А.М., Апарников А.Н., Ладугин М.А. Температурная зависимость пространственного распределения излучения решеток и линеек лазерных диодов

Разумец Е.А., Лебедок Е.В., Кабанов Д.М., Микулич Р.Ю. Примесный атом кремния вблизи гетерограницы GaAs/AlGAs

Микулич Р.Ю., Кабанов Д.М., Лебедок Е.В. Температурная зависимость ширины запрещенной зоны твердых растворов GaInAsSb

Зверев М.М., Гамов Н.А., Жданова Е.В., Студенов В.Б., Жмерик В.Н., Zh. Chen, Y. Wang, X. Rong, X. Wang, H. Miyake, Иванов С.В. Импульсный ультрафиолетовый излучатель (lλ = 260 нм) на основе структуры AlN/GaN с накачкой быстрыми электронами

Урманов Б.Д., Леоненя М.С., Нагорный А.В.,  Шуленкова В.А., Яблонский Г.П. Стабильный режим генерации лазерного излучения в микропорошках полупроводников CdSSe

Бобрецова Ю.К., Веселов Д.А., Воронкова Н.В., Стрелец В.А., Слипченко С.О., Пихтин Н.А. Влияние поляризации излучения полупроводникового лазера на его внутренние оптические потери

Сладкопевцев Б.В., Котов Г.И., Арсентьев И.Н., Шашкин И.С., Миттова И.Я., Томина Е.В., Самсонов А.А. Исследования вольт-амперных характеристик в новых структурах MnO2/GaAs (100) и V2O5/GaAs(100), прошедших термическую обработку

Богданович М.В., Григорьев А.В., Дудиков В.Н., Кот А.Н., Ланцов К.И., Лепченков К.В., Рябцев А.Г., Рябцев Г.И., Шпак П.В., Щемелев М.А. Сравнительный анализ воздействия гауссовых и конических лазерных пучков на диэлектрические и полупроводниковые материалы

Богданович М.В., Григорьев А.В., Кот А.Н., Ланцов К.И., Лепченков К.В., Рябцев А.Г., Рябцев Г.И., Шпак П.В., Щемелев М.А., Веселов Д.А., Пихтин Н.А. Влияние внешнего затравочного излучения на выходные параметры эрбиевого лазера с диодной накачкой и пассивной модуляцией добротности

Богданович М.В., Григорьев А.В., Кот А.Н., Ланцов К.И., Лепченков К.В., Рябцев А.Г., Рябцев Г.И., Шпак П.В., Щемелев М.А Генерационные и термооптические процессы в керамических активных элементах, возбуждаемых по поперечной схеме мощными матрицами лазерных диодов

Гаврина П.С., Соболева О.С., Подоскин А.А., Романович Д.Н., Лютецкий А.В., Багаев Т.А., Ладугин М.А., Мармалюк А.А., Симаков В.А., Слипченко С.О., Пихтин Н.А. Методика анализа пространственно-временной динамики тока в многопереходных гетероструктурах

Подоскин А.А., Романович Д.Н., Слипченко С.О., Шашкин И.С., Головин В.С., Бахвалов К.В., Николаев Д.Н., Васильева В.В., Пихтин Н.А. Замкнутые модовые структуры в прямоугольных резонаторах на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs

Соболева О.С., Гаврина П.С., Подоскин А.А., Романович Д.Н., Головин В.С., Растегаева М.Г., Лешко А.Ю., Слипченко С.О., Пихтин Н.А. Исследование динамики тока в биполярных приборах через поглощение излучения на глубоких центрах

Терновая В.Е., Мазалов А.Б., Ивков С.А., Домашевская Э.П. Особенности фазовых переходов порошкового сплава Co66Cr28Mo6 при селективном лазерном плавлении

Шарков М.Д., Бойко М.Е., Щеглов М.П., Николаев В.И., Бобыль А.В., Бойко А.М., Конников С.Г. Исследования доменной структуры образцов пассивированного кремния рентгеновскими методами

Мощные полупроводниковые лазеры и их применение

Рожков А.В., Пихтин Н.А. Использование моделированного легирования для повышения оптической эффективности мощных импульсных лазеров

Байдусь Н.В., Некоркин С.М., Звонков Б.Н., Дикарева Н.В., Алешкин В.Я., Дубинов А.А., Шейков Ю.В., Батьянов С.М. Широкоапертурный многоямный InGaAs/GaAs/InGaP лазер

Петренко А.А., Котова Е.И., Михайловский Г.А., Одноблюдов М.А., Бугров В.Е. Исследование тепловых характеристик лазерного диодного модуля высокой мощности

Климов А.А., Веселов Д.А., Бобрецова Ю.К., Слипченко С.О., Вавилова Л.С., Шамахов В.В., Пихтин Н.А. AlGaAs/GaAs/InGaAs лазеры со сверхузким волноводом для импульсных применений

Крючков В.А., Веселов Д.А., Бобрецова Ю.К., Капитонов В.А., Ладугин М.А., Мармалюк А.А., Слипченко С.О., Пихтин Н.А. Исследование теплового сопротивления мощных лазеров спектрального диапазона 1400-1600 нм

Головин В.С., Золотарев В.В., Романович Д.Н., Рудова Н.А., Растегаева М.Г., Лешко А.Ю., Слипченко С.О., Пихтин Н.А. Оптимизация коэффициентов отражения зеркал в мощных полупроводниковых лазерах

Чунихин А.А., Базикян Э.А., Ладугин М.А., Мармалюк А.А., Лютецкий А.В., Пихтин Н.А. Мощные полупроводниковые лазеры с длиной волны излучения ~1270 нм для изучения эффективности прямой генерации синглетного кислорода в слюне человека in vitro

Андряков А.А., Малыгин Д.В., Редька Д.Н., Саенко А.И. Разработка лазерной системы связи для наноспутников на базе платформы «Синергия» блочно-модульного типа

Рощина Н.В., Коноплев Г.А. Сенсор для мониторинга процедуры гемодиализа на основе УФ диодов

Моделирование лазерных структур

Артеев Д.С., Сахаров А.В., Николаев А.Е., Усов С.О., Лундин В.В., Цацульников А.Ф., Иванов А.Ю. Моделирование дихромных светодиодов на основе InGaN

Соболева О.С., Юферев В.С., Головин В.С., Пихтин Н.А., Слипченко С.О. Транспорт носителей заряда в доменах сильного электрического поля в изотипных гетероструктурах n-типа при сверхвысоких плотностях тока

Веселов Д.А., Шашкин И.С., Бобрецова Ю.К., Лешко А.Ю., Слипченко С.О., Ладугин М.А., Светогоров В.Н., Пихтин Н.А. Моделирование излучательных характеристик одномодовых AlGaInAs/InP полупроводниковых лазеров

Шашкин И.С., Соболева О.С., Головин В.С., Золотарев В.В., Растегаева М.Г., Слипченко С.О., Пихтин Н.А. Инжиниринг структур с большим квантово-размерным эффектом Штарка