|
|
| 12:00–12:15 |
П.С. Копьев ФТИ им. А.Ф. Иоффе
Открытие школы |
| 12:15–12:45 |
П.С. Копьев ФТИ им. А.Ф. Иоффе
Ж.И. Алферов: жизнь, ставшая легендой
|
12:50–13:20 |
Л.Я. Карачинский СПб, ООО «Коннектор Оптикс», ИТМО, ФТИ им. А.Ф. Иоффе
Вертикально-излучающие лазеры спектрального диапазона 1300–1550 нм
|
13:25–13:55 |
С.В. Морозов Н. Новгород, Институт физики микроструктур РАН
Излучатели терагерцового диапазона на основе полупроводниковых наногетероструктур
|
| 14:00–14:45 |
Перерыв |
14:45–15:15 |
Е.В. Луценко Белоруссия, Минск, Институт физики НАН
Мощные InGaN лазерные диоды и их применение
|
15:20–15:50 |
Eugene Avrutin UK, Dept. of Electronics, University of York, York YO10 4LE, UK
Основные механизмы насыщения ватт-амперной характеристики в полупроводниковых лазерах импульсного режима и некоторые методы борьбы с ними
|
Напечатать