|
|
| 12:00–12:30 |
А.А Мармалюк Москва, НИИ «Полюс»
МОС-гидридная эпитаксия в технологии полупроводниковых гетероструктур
|
| 12:35–13:05 |
В.Я. Алешкин Н. Новгород, Институт физики микроструктур РАН
Плазмонная рекомбинации и возможность стимулированного излучения плазмонов
|
| 13:10–13:40 |
Ю.А. Морозов Саратов, ИРЭ им. В.А.Котельникова РАН
Внутрирезонаторное нелинейно-оптическое взаимодействие в лазере с вертикальным внешним резонатором
|
| 13:45–14:15 |
Перерыв |
| 14:20–14:50 |
В.Н. Жмерик ФТИ им. А.Ф. Иоффе
Монослойные квантовые ямы GaN/AlN: особенности свойств и технологии получения
|
| 14:55–15:25 |
В.А. Щукин, VI Systems GmbH, Berlin, Germany
Высокоскоростные вертикально-излучающие лазеры: Вызовы, решения, применения
|
| 15:30–16:00 |
L.V. Asryan Virginia Polytechnic Institute and State University, USA
Modulation bandwidth of quantum dot lasers with asymmetric barrier layers
|
| 16:05–16:20 |
Н.А. Пихтин ФТИ им. А.Ф. Иоффе
Заключительное слово
|
Напечатать