Общая информация
Наукометрия
Новости
Пресс–релизы
Инициативы
Структура и тематики
Совет по астрофизике
Совет молодых ученых
Профсоюзная организация
Закупки

Подготовка кадров

Базовые кафедры ФТИ
Аспирантура
Защиты диссертаций
Научные школы
Конкурсы
Аттестация
Должностные инструкции

Результаты

Основные результаты
Публикации сотрудников
Патенты
УНУ «Глобус-М»
УНУ «Циклотрон ФТИ»
УНУ «Токамак ТУМАН-3М»
Федеральные программы
Проекты Минобрнауки
ЦКП
Международные программы
Проекты
Конкурсные премии
Отличия сотрудников

Журналы и БД

Журналы
Тематические БД

Мероприятия

Конференции, совещания
Семинары и лекции

Разное

Карта сайта
СОУТ
Web of Science®
ФТИ в 2000–20 гг.
Статей 25019
Цитируемость
суммарная 323311
на статью 12.9
Индекс Хирша 169
G-индекс 285
Scopus®
ФТИ в 2000–20 гг.
Статей 28146
Цитируемость
суммарная 347747
на статью 12.4
Индекс Хирша 177
G-индекс 296
Основные достижения
Сферический токамак Глобус-М2 с увеличенным магнитным полем
Оптомеханический эффект Керкера
Новый контрастный агент для магниторезонансной томографии на основе наноалмазов
Управление обменным взаимодействием при помощи электрического поля в гибридных системах ферромагнетик/полупроводник
Объединённая диагностика диверторной плазмы токамака ИТЭР на основе томсоновского рассеяния и лазерно индуцированной флуоресценции
Полевые транзисторы на основе гетероструктур 2D-полупроводник — эпитаксиальный фторид для микроэлектроники нового поколения
Сверхбыстрая оптическая генерация магнитостатических волн с большой длиной распространения в структурах FeGa/GaAs
Управление проводимостью InхGa1-хAs нитевидных нанокристаллов с помощью механической деформации
Исследование микропор в монокристаллах SiC методом фазово-контрастного изображения в синхротронном излучении
Кристаллическая структура, Рамановская спектроскопия и диэлектрические свойства новых полуорганических кристаллов на основе 2-метилбензимидазола
Селективно настраиваемые фотоэлектрические преобразователи мощного лазерного излучения на метаморфных гетероструктурах
Экситонная люминесценция в нанотрубках на основе дихалькогенидных соединений
Малощумяшие гетерофотодиоды на основе InAs
Лазерные аддитивные технологии для интегрально-оптических схем на подложках ниобата лития
Передающий радиофотонный тракт для АФАР на основе мощных СВЧ полупроводниковых лазеров и фотодетекторов
Отчет ФТИ 2020
 

Защиты диссертаций

О советах Предстоящие защиты Состоявшиеся защиты Видеозаписи защит Сводка

Видеозаписи защит ФТИ

Диссертант
Руководитель
 
Месяц

Год
Всего записей: 86
Четверг, 24 октября 2024
Гарбузов,ФЕ, ФТИ им. А.Ф. Иоффе
 Лаб. Романова,АЕ
Моделирование нелинейных волн и солитонов деформации в упругих и вязкоупругих телах
Диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук по специальности физика конденсированного состояния (1.3.8), совет: ФТИ 34.01.01
Четверг, 17 октября 2024
Контрош,ЕВ, ФТИ им. А.Ф. Иоффе
 Лаб. Шварца,МЗ
Исследование механизмов токопрохождения в многопереходных фотоэлектрических преобразователях
Диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук по специальности физика полупроводников (1.3.11), совет: ФТИ 34.01.02
Четверг, 20 июня 2024
Михайлов,ВС, ФТИ им. А.Ф. Иоффе
 Лаб. Зиновьева,АН
Моделирование распыления и рассеяния при ионном облучении бериллия и вольфрама – перспективных материалов первой стенки токамака-реактора
Диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук по специальности физическая электроника (1.3.5), совет: ФТИ 34.01.03
Четверг, 13 июня 2024
Европейцев,ЕА, ФТИ им. А.Ф. Иоффе
 Лаб. Торопова,АА
Кинетика экситонной фотолюминесценции в квантовых ямах в системе (Al,Ga,In)N
Диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук по специальности физика полупроводников (1.3.11), совет: ФТИ 34.01.02
Четверг, 30 мая 2024
Пеньков,СА,
 
Магниточувствительные люминесцентные процессы с участием триплетных молекул и экситонов в наноструктурах
Диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук по специальности оптика (1.3.6), совет: ФТИ 34.01.03
firstprev 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 nextfrwd10last
Яндекс.Метрика
© 2005–2020 разработка и сопровождение: ОНТИ ФТИ им. А.Ф. Иоффе