Устройство для получения потока плазмы
Патент РФ #2330393 от
27 июля 2008, тип: Изобретение Воронин,АВ
Правообладатели: ФТИ им.Иоффе РАН
Авторы-сотрудники ФТИ: Воронин,АВ
Подразделения: Гусакова,ЕЗ
Способ выращивания монокристалла нитрида на кремниевой пластине, нитридный полупроводниковый светоизлучающий диод, изготовленный с его использованием, и способ такого изготовления.
Патент РФ #2326993 от
20 июня 2008, тип: Изобретение Парк,ХееСеок; Жиляев,ЮВ; Бессолов,ВН
Правообладатели: САМСУНГ ЭЛЕКТРО-МЕКАНИКС КО., ЛТД, (KR), ФТИ им.Иоффе РАН (RU)
Авторы-сотрудники ФТИ: Жиляев,ЮВ, Бессолов,ВН
Подразделения: Жиляева,ЮВ, Иванова,СВ
Способ очистки наноалмазов
Патент РФ #2322389 от
20 апреля 2008, тип: Изобретение Алексенский,АЕ; Вуль,АЯ; Яговкина,МА
Правообладатели: ФТИ им.Иоффе РАН
Авторы-сотрудники ФТИ: Алексенский,АЕ, Вуль,АЯ, Яговкина,МА
Подразделения: Вуля,АЯ, Вуля,АЯ, Конникова,СГ
Устройство для измерения электрического тока на участке цепи
Патент РФ #69312 от
10 декабря 2007, тип: Полезная модель Щербаков,ИП; Самуйлов,СД
Правообладатели: ФТИ им.Иоффе РАН
Авторы-сотрудники ФТИ: Щербаков,ИП, Самуйлов,СД
Подразделения: Кадомцева,АГ, Кадомцева,АГ
Способ изготовления полупроводниковой гетероструктуры на основе соединений А3В5 методом жидкофазной эпитаксии
Патент РФ #2297690 от
20 апреля 2007, тип: Изобретение Солдатенков,ФЮ
Правообладатели: ФТИ им.Иоффе РАН
Авторы-сотрудники ФТИ: Солдатенков,ФЮ
Подразделения: Андреева,ВМ