Способ отбраковки мощных светодиодов на основе InGaN/GaN
Патент РФ #2523105 от
13 марта 2013, тип: Изобретение Левинштейн,МЕ; Шабунина,ЕИ; Шмидт,НМ
Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН
Авторы-сотрудники ФТИ:
Подразделения:
Способ количественного определения ссодержания диоксида кремния на поверхности кремния
Патент РФ #2469303 от
10 декабря 2012, тип: Изобретение Никитин,СЕ; Теруков,ЕИ
Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН
Авторы-сотрудники ФТИ: Никитин,СЕ, Теруков,ЕИ
Подразделения: Терукова,ЕИ, Терукова,ЕИ
Полупроводниковый фотодиод для инфракрасного излучения
Патент РФ #2469438 от
10 декабря 2012, тип: Изобретение Андреев,ИА; Ильинская,НД; Серебренникова,ОЮ; Соколовский,ГС; Куницына,ЕВ; Дюделев,ВВ; Яковлев,ЮП
Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН
Авторы-сотрудники ФТИ: Андреев,ИА, Ильинская,НД, Серебренникова,ОЮ, Соколовский,ГС, Куницына,ЕВ, Дюделев,ВВ, Яковлев,ЮП
Подразделения: Яковлева,ЮП, Иванова,СВ, Яковлева,ЮП, Портного,ЕЛ, Яковлева,ЮП, Портного,ЕЛ, Яковлева,ЮП
Полупроводниковый источник инфракрасного излучения (варианты)
Патент РФ #2465699 от
27 октября 2012, тип: Изобретение Шерстнев,ВВ; Монахов,АМ; Гребенщикова,ЕА; Баранов,АН; Яковлев,ЮП
Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН
Авторы-сотрудники ФТИ: Шерстнев,ВВ, Монахов,АМ, Гребенщикова,ЕА, Яковлев,ЮП
Подразделения: Яковлева,ЮП, Сейсяна,РП, Яковлева,ЮП, Яковлева,ЮП
Электростатический анализатор энергии заряженных частиц
Патент РФ #120512 от
20 сентября 2012, тип: Полезная модель Баранова,ЛА
Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН
Авторы-сотрудники ФТИ: Баранова,ЛА
Подразделения: Афросимова,ВВ