Солнечная фотоэлектростанция
Патент РФ #2789285 от
01 февраля 2023, тип: Изобретение Андреев,ВМ; Давидюк,НЮ; Покровский,ПВ
Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН
Авторы-сотрудники ФТИ: Андреев,ВМ, Давидюк,НЮ, Покровский,ПВ
Подразделения: Шварца,МЗ, Шварца,МЗ, Левиной,СА
Солнечная фотоэлектрическая энергоустановка
Патент РФ #2789205 от
31 января 2023, тип: Изобретение Андреев,ВМ; Давидюк,НЮ
Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН
Авторы-сотрудники ФТИ: Андреев,ВМ, Давидюк,НЮ
Подразделения: Шварца,МЗ, Шварца,МЗ
Способ изготовления светоизлучающего диода на основе гетероструктуры AlGaAs/GaAs
Патент РФ #2789241 от
31 января 2023, тип: Изобретение Малевская,АВ; Солдатенков,ФЮ; Малевский,ДА; Покровский,ПВ
Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН
Авторы-сотрудники ФТИ: Малевская,АВ, Солдатенков,ФЮ, Малевский,ДА, Покровский,ПВ
Подразделения: Калюжного,НА, Шварца,МЗ, Левиной,СА, Левиной,СА
Способ изготовления инфракрасного светоизлучающего диода
Патент РФ #2789243 от
31 января 2023, тип: Изобретение Малевская,АВ; Ильинская,НД
Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН
Авторы-сотрудники ФТИ: Малевская,АВ, Ильинская,НД
Подразделения: Калюжного,НА, Иванова,СВ
Оптический квантовый магнитометр
Патент РФ #2789203 от
31 января 2023, тип: Изобретение Вершовский,АК; Пазгалев,АС; Петренко,МВ
Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН
Авторы-сотрудники ФТИ: Вершовский,АК, Пазгалев,АС, Петренко,МВ
Подразделения: Александрова,ЕБ, Александрова,ЕБ, Поняева,СА