Слой топологического изолятора Pb1-хSnхTe:In на кристаллической подложке и способ его изготовления
Патент РФ #2783365 от
11 ноября 2022, тип: Изобретение Кавеев,АК; Климов,АЭ; Терещенко,ОЕ
Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН
Авторы-сотрудники ФТИ: Кавеев,АК
Подразделения: Старухина,АН
Способ изготовления фотоэлектрических преобразователей на основе многослойной структуры
Патент РФ #2783353 от
11 ноября 2022, тип: Изобретение Ильинская,НД; Пивоварова,АА; Куницына,ЕВ; Яковлев,ЮП
Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН
Авторы-сотрудники ФТИ: Ильинская,НД, Пивоварова,АА, Куницына,ЕВ, Яковлев,ЮП
Подразделения: Иванова,СВ, Андреева,ИА, Андреева,ИА, Андреева,ИА
Фотоэлектрическое приемное устройство оптической линии связи
Патент РФ #2782236 от
25 октября 2022, тип: Изобретение Калиновский,ВС; Когновицкий,СО; Малевский,ДА
Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН
Авторы-сотрудники ФТИ: Калиновский,ВС, Когновицкий,СО, Малевский,ДА
Подразделения: Шварца,МЗ, Шварца,МЗ, Шварца,МЗ
Программа для увеличения динамического диапазона высокочастотного ЭПР/ОДМР спектрометра
Свидетельство РФ #2022669432 от
19 октября 2022, тип: Программы для ЭВМ Бабунц,РА; Успенская,ЮА
Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН
Авторы-сотрудники ФТИ: Бабунц,РА, Успенская,ЮА
Подразделения: Баранова,ПГ, Баранова,ПГ
Способ изготовления полупроводниковой структуры многопереходного фотопреобразователя
Патент РФ #2781507 от
12 октября 2022, тип: Изобретение Маричев,АЕ; Эполетов,ВС; Власов,АС; Пушный,БВ; Устинов,ВМ
Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН
Авторы-сотрудники ФТИ: Маричев,АЕ, Эполетов,ВС, Власов,АС, Пушный,БВ, Устинов,ВМ
Подразделения: Шварца,МЗ, Шварца,МЗ, Шварца,МЗ, Шварца,МЗ, Устинова,ВМ