Способ изготовления полупроводниковой p-i-n структуры на основе соединений GaAs-AlGaAs методом жидкофазной эпитаксии
Патент РФ #2744350 от
05 марта 2021, тип: Изобретение Солдатенков,ФЮ
Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН
Авторы-сотрудники ФТИ: Солдатенков,ФЮ
Подразделения: Андреева,ВМ
Концентраторный фотоэлектрический модуль
Патент РФ #2744355 от
05 марта 2021, тип: Изобретение Андреев,ВМ; Малевский,ДА; Когновицкий,СО; Малевская,АВ; Покровский,ПВ; Ларионов,ВР
Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН
Авторы-сотрудники ФТИ: Андреев,ВМ, Малевский,ДА, Когновицкий,СО, Малевская,АВ, Покровский,ПВ, Ларионов,ВР
Подразделения: Андреева,ВМ, Андреева,ВМ, Андреева,ВМ, Иванова,СВ, Андреева,ВМ, Андреева,ВМ
Способ изготовления фотоэлектрического концентраторного модуля
Патент РФ #2740862 от
21 января 2021, тип: Изобретение Андреев,ВМ; Малевский,ДА; Малевская,АВ; Потапович,НС
Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН
Авторы-сотрудники ФТИ: Андреев,ВМ, Малевский,ДА, Малевская,АВ, Потапович,НС
Подразделения: Андреева,ВМ, Андреева,ВМ, Иванова,СВ, Андреева,ВМ
Мощный концентраторный фотоэлектрический модуль
Патент РФ #2740738 от
20 января 2021, тип: Изобретение Андреев,ВМ; Давидюк,НЮ; Малевский,ДА; Покровский,ПВ; Потапович,НС; Садчиков,НА; Чекалин,АВ
Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН
Авторы-сотрудники ФТИ: Андреев,ВМ, Давидюк,НЮ, Малевский,ДА, Покровский,ПВ, Потапович,НС, Садчиков,НА, Чекалин,АВ
Подразделения: Андреева,ВМ, Андреева,ВМ, Андреева,ВМ, Андреева,ВМ, Андреева,ВМ, Андреева,ВМ, Андреева,ВМ
Способ изготовления полых микросфер из оксида алюминия
Патент РФ #2740748 от
20 января 2021, тип: Изобретение Мартинсон,КД; Попков,ВИ; Бачина,АК; Кочуров,ИВ; Зевацкий,ЮЭ
Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН
Авторы-сотрудники ФТИ: Мартинсон,КД, Попков,ВИ, Бачина,АК
Подразделения: Попкова,ВИ, Попкова,ВИ, Попкова,ВИ