Способ формирования многослойного омического контактафотоэлектрического преобразователя (варианты)
Патент РФ #2391741 от
10 июня 2010, тип: Изобретение Андреев,ВМ; Ильинская,НД; Солдатенков,ФЮ; Усикова,АА
Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН
Авторы-сотрудники ФТИ: Андреев,ВМ, Ильинская,НД, Солдатенков,ФЮ, Усикова,АА
Подразделения: Андреева,ВМ, Иванова,СВ, Андреева,ВМ, Иванова,СВ
Интегрированный Шотки-pn диод на основе карбида кремния
Патент РФ #2390880 от
27 мая 2010, тип: Изобретение Грехов,ИВ; Иванов,ПА; Потапов,АС; Самсонова,ТП; Коньков,ОИ; Ильинская,НД
Правообладатели: Мегаимпульс
Авторы-сотрудники ФТИ: Грехов,ИВ, Иванов,ПА, Потапов,АС, Самсонова,ТП, Коньков,ОИ, Ильинская,НД
Подразделения: Грехова,ИВ, Грехова,ИВ, Грехова,ИВ, Грехова,ИВ, Терукова,ЕИ, Иванова,СВ
Способ контроля содержания магнитных примесей в наноалмазах детонационного синтеза
Патент РФ #2388688 от
10 мая 2010, тип: Изобретение Алексенский,АЕ; Байдакова,МВ; Вейнгер,АИ;Вуль,АЯ; Вуль,СП; Яговкина,МА
Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН
Авторы-сотрудники ФТИ: Алексенский,АЕ, Байдакова,МВ, Вейнгер,АИ, Вуль,АЯ, Вуль,СП, Яговкина,МА
Подразделения: Вуля,АЯ, Конникова,СГ, Забродского,АГ, Вуля,АЯ, Голубева,ВГ, Конникова,СГ
Импульсный имитатор солнечного излучения
Патент РФ #2388104 от
27 апреля 2010, тип: Изобретение Андреев,ВМ; Давидюк,НЮ; Ларионов,ВР; Малевский,ДА; Румянцев,ВД; Шварц,МЗ
Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН
Авторы-сотрудники ФТИ: Андреев,ВМ, Давидюк,НЮ, Ларионов,ВР, Малевский,ДА, Румянцев,ВД, Шварц,МЗ
Подразделения: Андреева,ВМ, Луке Лопеса,АИ, Андреева,ВМ, Андреева,ВМ, Андреева,ВМ, Андреева,ВМ
Монохроматор для электронов с низкой энергией
Патент РФ #93581 от
27 апреля 2010, тип: Полезная модель Фишкова,ТЯ
Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН
Авторы-сотрудники ФТИ: Фишкова,ТЯ
Подразделения: Афросимова,ВВ