Высоковольтный полупроводниковый прибор
Патент РФ #2395869 от
27 июля 2010, тип: Изобретение Грехов,ИВ; Рожков,АВ
Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН
Авторы-сотрудники ФТИ: Грехов,ИВ, Рожков,АВ
Подразделения: Грехова,ИВ, Тарасова,ИС
Способ для измерения размеров наночастиц и устройство для измерения спектров магнитного резонанса
Патент РФ # 2395448 от
27 июля 2010, тип: Изобретение Бабунц,РА; Бадалян,АГ; Баранов,ПГ; Романов,НГ
Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН
Авторы-сотрудники ФТИ: Бабунц,РА, Бадалян,АГ, Баранов,ПГ, Романов,НГ
Подразделения: Баранова,ПГ, Баранова,ПГ, Баранова,ПГ, Баранова,ПГ
Фотоэлектрический модуль
Патент РФ #2395136 от
20 июля 2010, тип: Изобретение Андреев,ВМ; Давидюк,НЮ; Ионова,ЕА; Нахимович,МВ; Румянцев,ВД; Садчиков,НА
Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН
Авторы-сотрудники ФТИ: Андреев,ВМ, Давидюк,НЮ, Ионова,ЕА, Нахимович,МВ, Румянцев,ВД, Садчиков,НА
Подразделения: Андреева,ВМ, Луке Лопеса,АИ, Андреева,ВМ, Луке Лопеса,АИ, Андреева,ВМ, Андреева,ВМ
Способ калибровки спектрометра электронного парамагнитного резонанса для его осуществления
Патент РФ # 2394230 от
10 июля 2010, тип: Изобретение Бадалян,АГ; Бабунц,РА; Баранов,ПГ; Романов,НГ
Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН
Авторы-сотрудники ФТИ: Бадалян,АГ, Бабунц,РА, Баранов,ПГ, Романов,НГ
Подразделения: Баранова,ПГ, Баранова,ПГ, Баранова,ПГ, Баранова,ПГ
Способ изготовления чипов фотоэлектрических преобразователей
Патент РФ #2391744 от
10 июня 2010, тип: Изобретение Андреев,ВМ; Ильинская,НД; Калюжный,НА; Лантратов,ВМ; Малевская,АВ; Минтаиров,СА
Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН
Авторы-сотрудники ФТИ: Андреев,ВМ, Ильинская,НД, Калюжный,НА, Лантратов,ВМ, Малевская,АВ, Минтаиров,СА
Подразделения: Андреева,ВМ, Иванова,СВ, Андреева,ВМ, Андреева,ВМ, Иванова,СВ, Андреева,ВМ