|
|
| 11:00 |
М.А. Ладугин
Мощные полупроводниковые
лазеры (λ = 770 — 980 нм) на основе различных систем материалов: сравнение и анализ
|
| 11:20 |
А.А. Мармалюк
Гетероструктуры для полупроводниковых излучателей с улучшенными характеристиками
|
| 11:40 |
А.В. Бабичев
Микролазеры с массивами квантовых точек InGaAs/GaAs на длине волны 980 нм
|
| 12:00 |
А.Э. Ризаев
Температурные характеристики порогового тока полупроводниковых лазеров
с различным дизайном гетероструктур (λ=970нм)
|
| 12:20–12:40 |
Кофе |
| 12:40 |
В.П. Дураев
Перестраиваемые одночастотные полупроводниковые
лазеры с длиной волны излучения 1064 — 1650 нм
|
| 13:00 |
Р.А. Хабибуллин
Новые зонные дизайны квантово-каскадных лазеров
терагерцового диапазона
|
| 13:30 |
Г.С. Соколовский
Квантовые каскадные лазеры среднего ИК диапазона
|
| 14:00–15:00 |
Обед |
| 15:00 |
К.А. Подгаецкий
Высокоотражающие оптические покрытия для квантовых
каскадных лазеров на основе гетероструктур InGaAs/AlInAs/InP
|
| 15:20 |
Н.В. Гультиков
Линейки лазерных диодов на основе квантоворазмерных
гетероструктур (Al)GaAs/AlGaAs/GaAs и GaAsP/GaInP/GaAs
|
| 15:40 |
Ю.С. Козлова
Полупроводниковый лазер с длиной волны 810 нм при лечении
гиперчувствительности дентина. Клинический случай
|
| 16:00 |
А.А. Бурцев (онлайн)
Моделирование оптических элементов для конструирования диодного лазера прямого излучения
|
| 16:20 |
Е.В. Тимощенко (онлайн)
Расчет эффективности квазидвумерного суперкристалла в качестве пассивного модулятора в схеме обратной связи
|
|
16:00–18:00 |
Стендовая сессия
|
Стендовая сессия (онлайн)
|
| 16:40–17:00 |
А.В. Рудый
Отечественная лазерная керамика. Технология производства и пути дальнейшего развития
|
Е.Д. Тараканов
Проверка качества отечественной лазерной керамики на основе Nd3+:YAG
|
Я.В. Ульянов
Исследование эффективности генерации активных элементов на основе керамики Nd:YAG производства ФКП &laqua;ГЛП &laqua;Радуга&raqua;
|
| 16:00 |
Кофе |
Напечатать