Стендовая сессия
Четверг, 1 декабря 2022 года
ФТИ им А.Ф Иоффе корпус «Туман» (Политехническая 28), зал им. В.Е. Голанта
|
Андрюшкин В.В.
Лавинные фотодиоды на гетероструктурах InAlAs/InGaAs/InP с сульфидно-полиамидной пассивацией |
Багаев Т.А.
Мощные интегрированные импульсные лазеры на основе гетероструктур InGaAs/AlGaAs |
Багаева О.О.
Температурные характеристики РОС-лазеров на основе AlGaInAs/InP |
Бородкин А.И.
Лазер с двугорбой оптической гребенкой частот |
Бутаев М.Р.
VECSEL зеленого диапазона (522 нм) с оптической накачкой |
Вязанкин В.С.
Гетероструктуры GaInAs/AlInAs для электрооптических модуляторов на основе квантово-размерного эффекта Штарка |
Гаврина П.С.
Влияние параметров электрического управления на распределение лазерного излучения в ближней зоне мощных лазеров-тиристоров (~905 нм) на основе AlGaAs/GaAs/InGaAs гетероструктур |
Голеницкий К.Ю.
Узконаправленные поверхностные моды в анизотропных средах |
Гордеев И.Н.,
Учет неоднородности скорости осаждения слоя по радиусу подложки при моделирование селективного роста при использовании МОС-гидридной эпитаксии |
Григорьев А.В.
Исследование влияния тепловых эффектов в пассивных затворах на выходные характеристики Nd:YAG твердотельных лазеров c полупроводниковой диодной накачкой |
Гришин А.Е.,
Исследование и моделирование роста твердых растворов AlGaAs, полученных селективной эпитаксией в широких окнах. |
Кириченко Ю.К.
Математическое моделирование характеристик мощных полупроводниковых лазеров на основе GaAs |
Кондратов М.И.
Численное моделирование разбавительного узла газовой схемы для исследования зависимости мольного потока триметилалюминия |
Крючков В.А.
Исследования температурных зависимостей излучательных характеристик микролинеек лазерных диодов (976 нм), работающих в квазинепрерывном режиме |
Микулич А.В.
Усиление антимикробной активности экстрактов лекарственных растений оптическим излучением видимого спектрального диапазона |
Михайлюк Е.А.
Определение концентрации поверхностного центра гетероструктуры |
Павлов Н.В.
Аналитическая модель расчета скорости излучательной и безызлучательной рекомбинации в квантовых ямах и сверхрешетках, напряженных в направлении [111], с учетом несферичности kp гамильтониана |
Подоскин А.А.
Мощные полупроводниковые лазеры на основе асимметричных GaAs/AlGaAs/InGaAs гетероструктур с пониженной расходимостью в перпендикулярной плоскости (976нм) |
Рудый А.В.
Отечественная лазерная керамика. Технология производства и пути дальнейшего развития |
Рябцев Г.И.
S2-полуполярный GaN, выращенный HVPE на неполярной m-плоскости сапфира: особенности роста, структурные, морфологические и оптические свойства |
Середин П.В.
Особенности компенсации термооптических искажений в многокаскадных диоднонакачиваемых Nd:YAG лазерных системах |
Скасырский Я.К.
Снижение потерь оптической мощности импульсных источников УФС - излучения с накачкой электронным пучком на основе гетероструктур с множественными монослойными квантовыми ямами GaN/AlN |
Тараканов Е.Д.
Проверка качества отечественной лазерной керамики на основе Nd3+:YAG |
Таривердиев С.Д.
Однородность распределения поля в активном элементе мощных усилителей твердотельных лазеров с диодной накачкой |
Ульянов Я.В.
Исследование эффективности генерации активных элементов на основе керамики Nd:YAG производства ФКП ГЛП Радуга |
Шашкин И.С.
Моделирование коэффициента отражения зеркала полупроводникового лазера |
Шляга Е. В.
Ближнеполевой торцевой лазер на основе ТМ-поляризованных оптических таммовских состояний |
Напечатать