·

Стендовая сессия

Четверг, 1 декабря 2022 года

ФТИ им А.Ф Иоффе корпус «Туман» (Политехническая 28), зал им. В.Е. Голанта
Андрюшкин В.В.
Лавинные фотодиоды на гетероструктурах InAlAs/InGaAs/InP с сульфидно-полиамидной пассивацией
Багаев Т.А.
Мощные интегрированные импульсные лазеры на основе гетероструктур InGaAs/AlGaAs
Багаева О.О.
Температурные характеристики РОС-лазеров на основе AlGaInAs/InP
Бородкин А.И.
Лазер с двугорбой оптической гребенкой частот
Бутаев М.Р.
VECSEL зеленого диапазона (522 нм) с оптической накачкой
Вязанкин В.С.
Гетероструктуры GaInAs/AlInAs для электрооптических модуляторов на основе квантово-размерного эффекта Штарка
Гаврина П.С.
Влияние параметров электрического управления на распределение лазерного излучения в ближней зоне мощных лазеров-тиристоров (~905 нм) на основе AlGaAs/GaAs/InGaAs гетероструктур
Голеницкий К.Ю.
Узконаправленные поверхностные моды в анизотропных средах
Гордеев И.Н.,
Учет неоднородности скорости осаждения слоя по радиусу подложки при моделирование селективного роста при использовании МОС-гидридной эпитаксии
Григорьев А.В.
Исследование влияния тепловых эффектов в пассивных затворах на выходные характеристики Nd:YAG твердотельных лазеров c полупроводниковой диодной накачкой
Гришин А.Е.,
Исследование и моделирование роста твердых растворов AlGaAs, полученных селективной эпитаксией в широких окнах.
Кириченко Ю.К.
Математическое моделирование характеристик мощных полупроводниковых лазеров на основе GaAs
Кондратов М.И.
Численное моделирование разбавительного узла газовой схемы для исследования зависимости мольного потока триметилалюминия
Крючков В.А.
Исследования температурных зависимостей излучательных характеристик микролинеек лазерных диодов (976 нм), работающих в квазинепрерывном режиме
Микулич А.В.
Усиление антимикробной активности экстрактов лекарственных растений оптическим излучением видимого спектрального диапазона
Михайлюк Е.А.
Определение концентрации поверхностного центра гетероструктуры
Павлов Н.В.
Аналитическая модель расчета скорости излучательной и безызлучательной рекомбинации в квантовых ямах и сверхрешетках, напряженных в направлении [111], с учетом несферичности kp гамильтониана
Подоскин А.А.
Мощные полупроводниковые лазеры на основе асимметричных GaAs/AlGaAs/InGaAs гетероструктур с пониженной расходимостью в перпендикулярной плоскости (976нм)
Рудый А.В.
Отечественная лазерная керамика. Технология производства и пути дальнейшего развития
Рябцев Г.И.
S2-полуполярный GaN, выращенный HVPE на неполярной m-плоскости сапфира: особенности роста, структурные, морфологические и оптические свойства
Середин П.В.
Особенности компенсации термооптических искажений в многокаскадных диоднонакачиваемых Nd:YAG лазерных системах
Скасырский Я.К.
Снижение потерь оптической мощности импульсных источников УФС - излучения с накачкой электронным пучком на основе гетероструктур с множественными монослойными квантовыми ямами GaN/AlN
Тараканов Е.Д.
Проверка качества отечественной лазерной керамики на основе Nd3+:YAG
Таривердиев С.Д.
Однородность распределения поля в активном элементе мощных усилителей твердотельных лазеров с диодной накачкой
Ульянов Я.В.
Исследование эффективности генерации активных элементов на основе керамики Nd:YAG производства ФКП ГЛП Радуга
Шашкин И.С.
Моделирование коэффициента отражения зеркала полупроводникового лазера
Шляга Е. В.
Ближнеполевой торцевой лазер на основе ТМ-поляризованных оптических таммовских состояний
© 2022, Ioffe Institute