|
|
| 11:00 |
М.С. Ружевич
Характеризация барьерных слоев в лазерных гетероструктурах на основе HgCdTe
|
| 11:20 |
Н.Н. Михайлов
Выращивание лазерных структур на основе HgCdTe
|
| 11:40 |
В.В. Румянцев
Лазеры на основе гетероструктур с квантовыми ямами HgCdTe
с полосковыми и микродисковыми резонаторами
|
| 12:00 |
А.А. Дубинов
Вертикально излучающий лазер дальнего ИК диапазона на основе структуры с квантовыми ямами HgTe
|
| 12:20 |
А.А. Семакова
Стимулированное излучение в узкозонных гетероструктурах II типа на основе соединений арсенида-антимонида индия
|
| 12:40–13:00 |
Кофе |
| 13:00 |
Е.В. Куницына
Диодная лазерная спектроскопия на основе быстродействующих фотоприемников в средней ИК области спектра
|
| 13:20 |
Б.Я. Бер
Диагностика низкоразмерных полупроводниковых гетероструктур методами вторично-ионной масс-спектрометрии
|
| 13:40 |
М.А. Барулина
Аналитическое исследование нестационарного термоупругого напряженно-деформированного состояния в твердотельных лазерных активных элементах
|
| 14:00 |
В.П. Дзюба
Динамика спектра фотолюминесценции, виды и параметры экситонов в сверхрешетке SiNx/SiO2
|
| 14:20 |
Н.А. Пихтин
Закрытие симпозиума |
Напечатать