Газоаналитический мультисенсорный чип на основе фосфорилированного графена и способ его изготовления
Патент РФ #2814054 от
21 февраля 2024, тип: Изобретение Рабчинский,МК; Сысоев,ВВ; Рыжков,СА; Стручков,НС; Соломатин,МА; Варежников,АС; Савельев,СД; Габрелян,ВС; Столярова,ДЮ; Кириленко,ДА; Саксонов,АА; Павлов,СИ; Брунков,ПН
Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН
Авторы-сотрудники ФТИ: Рабчинский,МК, Рыжков,СА, Савельев,СД, Габрелян,ВС, Кириленко,ДА, Саксонов,АА, Павлов,СИ, Брунков,ПН
Подразделения: Прасолова,НД, Прасолова,НД, Прасолова,НД, Прасолова,НД, Прасолова,НД, Прасолова,НД, Прасолова,НД, Брункова,ПН
Способ выращивания полупроводниковой пленки
Патент РФ #2814063 от
21 февраля 2024, тип: Изобретение Жмерик,ВН; Нечаев,ДВ; Семенов,АН
Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН
Авторы-сотрудники ФТИ: Жмерик,ВН, Нечаев,ДВ, Семенов,АН
Подразделения: Торопова,АА, Торопова,АА, Торопова,АА
Способ изготовления фотоэлектрического преобразователя на основе GaInAsSb
Патент РФ #2813746 от
16 февраля 2024, тип: Изобретение Сорокина,СВ; Хвостиков,ВП; Васильев,ВИ
Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН
Авторы-сотрудники ФТИ: Сорокина,СВ, Хвостиков,ВП, Васильев,ВИ
Подразделения: Шварца,МЗ, Шварца,МЗ, Соколовского,ГС
Способ изготовления нанопорошка никель-цинкового феррита
Патент РФ #2813525 от
12 февраля 2024, тип: Изобретение Мартинсон,КД; Сахно,ДД; Беляк,ВЕ; Попков,ВИ
Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН
Авторы-сотрудники ФТИ: Мартинсон,КД, Сахно,ДД, Попков,ВИ
Подразделения: Попкова,ВИ, Попкова,ВИ, Попкова,ВИ
Фотоэлектрический модуль с концентратором излучения
Патент РФ #2812093 от
22 января 2024, тип: Изобретение Андреев,ВМ; Покровский,ПВ
Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН
Авторы-сотрудники ФТИ: Андреев,ВМ, Покровский,ПВ
Подразделения: Шварца,МЗ, Левиной,СА