Основные достижения
Отчет ФТИ 2020
|
|
|
|
|
|
Федеральные целевые программы
Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического
комплекса России на 2014–2020 годы
Поддержка и развитие федерального центра коллективного пользования научным оборудованием «Материаловедение и диагностика в передовых технологиях» для обеспечения реализации приоритетов научно-технологического развития
Соглашение о предоставлении субсидии: № 05.621.21.0021 от 19.11.2019
Приоритетное направление: Энергоэффективность, энергосбережение, ядерная энергетика
Период выполнения:19.11.2019–30.11.2020
Программное мероприятие: 3.1.2 Поддержка и развитие центров коллективного пользования научным оборудованием
Плановое финансирование проекта:
Бюджетные средства — 160 млн. руб.
Внебюджетные средства — 17,9 млн. руб.
Ответственный исполнитель: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Руководитель проекта: П.Н. Брунков, д.ф.-м.н., главный научный сотрудник - заведующий лабораторией диагностики материалов и структур твердотельной электроники ФТИ им. А.Ф. Иоффе
Резюме проекта по этапу № 1
Исследования внутризонной динамики носителей заряда для создания мощных квантовых каскадных лазеров
Соглашение о предоставлении субсидии: № 05.616.21.0111 от 17.10.2019
Приоритетное направление: Энергоэффективность, энергосбережение, ядерная энергетика
Критическая технология: Нано-, био-, информационные, когнитивные технологии
Период выполнения:17.10.2019–30.09.2020
Программное мероприятие: 2.2 Поддержка исследований в рамках сотрудничества с государствами — членами Европейского союза
Плановое финансирование проекта:
Бюджетные средства — 10 млн. руб.
Внебюджетные средства — 10 млн. руб.
Ответственный исполнитель: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Соисполнители: ООО «Коннектор-Оптикс»
Индустриальный партнер:Открытое акционерное общество «ОКБ-Планета»
Иностранный партнер: Институт электроники и систем
Руководитель проекта: В.В. Дюделев, к.ф.-м.н., старший научный сотрудник лаборатории интегральной оптики на гетероструктурах ФТИ им. А.Ф. Иоффе
Резюме проекта по этапу № 1
Новые наногетероструктурные материалы для мощных квантовых каскадных лазеров спектрального диапазона 4-9 мкм
Соглашение о предоставлении субсидии: № 05.607.21.0318 от 04.12.2019
Приоритетное направление: Энергоэффективность, энергосбережение, ядерная энергетика
Критическая технология: Индустрия наносистем
Период выполнения:04.12.2019–30.09.2020
Программное мероприятие: 1.3 Проведение прикладных научных исследований и разработок, направленных на создание продукции и технологий
Плановое финансирование проекта:
Бюджетные средства — 60 млн. руб.
Внебюджетные средства — 40 млн. руб.
Ответственный исполнитель: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Соисполнители: ООО «Коннектор-Оптикс»
Индустриальный партнер: Акционерное общество НИИ Полюс им. М.Ф. Стельмаха
Руководитель проекта: Г.С. Соколовский, д.ф.-м.н., главный научный сотрудник - заведующий лабораторией интегральной оптики на гетероструктурах ФТИ им. А.Ф. Иоффе
Ключевые слова: наноструктурные матриалы, квантово-каскадные лазер, молекулярно-пучковая эпитаксия, внутризонный переход, мощны лазер
Резюме проекта по этапу № 1
Разработка и создание одночастотных квантово-каскадных лазеров для среднего инфракрасного диапазона
Соглашение о предоставлении субсидии: № 14.616.21.0074 от 20.12.2016
Приоритетное направление: Индустрия наносистем
Критическая технология: Нано-, био-, информационные, когнитивные технологии
Период выполнения:01.01.2017–31.12.2019
Плановое финансирование проекта:
Бюджетные средства — 15 млн. руб.
Внебюджетные средства — 15 млн. руб.
Ответственный исполнитель: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Соисполнители:
Индустриальный партнер:Открытое акционерное общество «ОКБ-Планета»
Иностранный партнер: Центр нанонауки и нанотехнологий
Руководитель проекта: Г.С. Соколовский, д.ф.-м.н., главный научный сотрудник - заведующий лабораторией интегральной оптики на гетероструктурах ФТИ им. А.Ф. Иоффе
Ключевые слова: квантово-каскадные лазеры, излучение среднего инфракрасного диапазона, спектроскопия, газоанализ
Исполнители:
Сотрудники ФТИ им. А.Ф. Иоффе
- А.В. Бабичев, н.с., к.ф.-м.н., лаб. интегральной оптики на гетероструктурах
- В.В. Дюделев, с.н.с., к.ф.-м.н., лаб. интегральной оптики на гетероструктурах
- Ю.М. Задиранов, с.н.с., к.ф.-м.н., лаб. лаб. квантоворазмерных гетероструктур
- Л.Я. Карачинский, с.н.с, к.ф.-м.н., лаб. квантоворазмерных гетероструктур
- А.С. Паюсов, н.с, к.ф.-м.н., лаб. физики полупроводниковых гетероструктур
- Е.А. Когновицкая, с.н.с., к.ф.-м.н., лаб. интегральной оптики на гетероструктурах
- Е.Д. Колыхалова, н.с., к.ф.-м.н., лаб. интегральной оптики на гетероструктурах
- С.Н. Лосев, н.с, к.ф.-м.н., лаб. интегральной оптики на гетероструктурах
- В.Ю. Мыльников, лаборант лаб. интегральной оптики на гетероструктурах
- В.Н. Неведомский, н.с.
- К.К. Соболева, лаборант лаб. интегральной оптики на гетероструктурах
Резюме проекта по этапу № 1
Резюме проекта по этапу № 2
Резюме проекта по этапу № 3
Развитие Федерального центра коллективного пользования научным оборудованием «Материаловедение и диагностика в передовых технологиях» для проведения комплексных исследований в целях обеспечения реализации приоритетов научно-технологического развития Российской Федерации в области создания экологически чистой, ресурсосберегающей, безопасной гибридной ядерной энергетики
Соглашение о предоставлении субсидии: № 14.621.21.0013 от 28.08.2017
Приоритетное направление: Энергоэффективность и энергосбережение
Критическая технология: Технологии атомной энергетики, ядерного топливного цикла, безопасного обращения с радиоактивными отходами и отработавшим ядерным топливом
Период выполнения:28.08.2017–30.06.2019
Плановое финансирование проекта:
Бюджетные средства — 140 млн. руб.
Внебюджетные средства — 36 млн. руб.
Ответственный исполнитель: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Руководитель проекта: П.Н. Брунков, д.ф.-м.н., главный научный сотрудник - заведующий лабораторией ФТИ им. А.Ф. Иоффе
Ключевые слова: Сферический токамак, физика высокотемпературной плазмы, диагностика плазмы, управляемый термоядерный синтез, термоядерный источник нейтронов, безындукционный старт и поддержание тока, дополнительный нагрев плазмы, центр коллективного пользования
Резюме проекта по этапу № 1
Разработка инновационного радиоспектроскопического приборного комплекса и его применение для исследования и
неразрушающего контроля конденсированных материалов, включая наноструктурные и биологические объекты
Соглашение о предоставлении субсидии: № 14.604.21.0200 от 26.09.2017
Приоритетное направление: Индустрия наносистем
Критическая технология: Нано-, био-, информационные, когнитивные технологии
Период выполнения: 26.09.2017–30.06.2020
Плановое финансирование проекта:
Бюджетные средства — 27,9 млн. руб.
Внебюджетные средства — 27,9 млн. руб.
Ответственный исполнитель: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический
институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Индустриальный партнер:Общество с ограниченной ответственностью «НТ-МДТ»
Руководитель проекта: П.Г. Баранов, д.ф.-м.н., зав. лаб. микроволновой спектроскопии кристаллов ФТИ им. А.Ф. Иоффе
Ключевые слова:
электронный парамагнитный резонанс (ЭПР), оптически детектируемый магнитный резонанс (ОДМР), электронное спиновое эхо (ЭСЭ),
двойной электронно-ядерный резонанс (ДЭЯР), оптически детектируемый циклотронный резонанс (ОДЦР), спин, спектрометр
магнитного резонанса, атомно-силовой микроскоп, конфокальный микроскоп, магнито-оптический криостат, полупроводник,
диэлектрик, наноструктура, одиночный квантовый объект, наноразмерный сенсор
Исполнители:
Сотрудники ФТИ им. А.Ф. Иоффе
- А.Н. Анисимов, и.о.м.н.с., лаб. микроволновой спектроскопии кристаллов
- Г.Р. Асатрян, с.н.с., к.ф.-м.н., лаб. микроволновой спектроскопии кристаллов
- Р.А. Бабунц, с.н.с., к.ф.-м.н., лаб. микроволновой спектроскопии кристаллов
- А.Г. Бадалян, с.н.с., к.ф.-м.н., лаб. микроволновой спектроскопии кристаллов
- А.П. Бундакова, инж., лаб. микроволновой спектроскопии кристаллов
- А.С. Гурин, и.о.н.с., к.ф.-м.н., лаб. спиноптроники
- Е.В. Единач, и.о.м.н.с., лаб. микроволновой спектроскопии кристаллов
- И.В. Ильин, с.н.с., к.ф.-м.н., лаб. микроволновой спектроскопии кристаллов
- Д.Д. Крамущенко, и.о.н.с., к.ф.-м.н., лаб. микроволновой спектроскопии кристаллов
- М.В. Музафарова, н.с., к.ф.-м.н., лаб. микроволновой спектроскопии кристаллов
- А.В. Пошакинский, и.о.м.н.с., к.ф.-м.н., сектор теории квантовых когерентных явлений в твердом теле
- Н.Г. Романов, с.н.с., к.ф.-м.н., лаб. микроволновой спектроскопии кристаллов
- В.А. Солтамов, н.с., к.ф.-м.н., лаб. спиноптроники
- Ю.А. Успенская, и.о.м.н.с., лаб. микроволновой спектроскопии кристаллов
Резюме проекта по этапу № 1
Резюме проекта по этапу № 2
Разработка и создание одночастотных вертикально-излучающих лазеров диапазона 1250-1300нм
Соглашение о предоставлении субсидии: № 14.616.21.0051 от 11.11.2015
Приоритетное направление: Энергоэффективность, энергосбережение, ядерная энергетика;
Транспортные и космические системы; Науки о жизни; Индустрия наносистем; Информационно-телекоммуникационные системы
Критическая технология: Нано-, био-, информационные, когнитивные технологии;
Технологии диагностики наноматериалов и наноустройств
Период выполнения: 11.11.2015–31.12.2016
Плановое финансирование проекта:
Бюджетные средства — 13 млн. руб.
Внебюджетные средства — 13 млн. руб.
Ответственный исполнитель: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический
институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Соисполнитель: Общество с ограниченной ответственностью «Коннектор Оптикс»
Иностранный партнер:Центр нанофотоники Технического университета Берлина (Center of NanoPhotonics Institut fuer Festkoerperphysik)
Руководитель проекта: В.М. Устинов, чл.-корр. РАН, д.ф.-м.н., зав. лаб.
физики полупроводниковых гетероструктур, зам. директора ФТИ им. А.Ф. Иоффе
Ключевые слова: полупроводниковый вертикально-излучающий лазер, одночастоное излучение, молекулярно-пучковая эпитаксия,
оптические линии связи, радиофотоника
Исполнители:
Сотрудники ФТИ им. А.Ф. Иоффе
- Н.А. Малеев, с.н.с., к.т.н, лаб. физики полупроводниковых гетероструктур
- С.А. Блохин, с.н.с., к.ф.-м.н, лаб. физики полупроводниковых гетероструктур
- А.П. Васильев, ст.инж, лаб. физики полупроводниковых гетероструктур
- А.Г. Кузьменков, ст.инж., к.ф.-м.н, лаб. физики полупроводниковых гетероструктур
- А.С. Паюсов, н.с., к.ф.-м.н, лаб. физики полупроводниковых гетероструктур
- М.А. Бобров, инж., лаб. физики полупроводниковых гетероструктур
- А.А. Блохин, инж., лаб. физики полупроводниковых гетероструктур
- Ю.А. Гусева, м.н.с., лаб. физики полупроводниковых гетероструктур
- С.Н. Малеев, лаб., лаб. физики полупроводниковых гетероструктур
- А.Ф. Цацульников, с.н.с., к.ф.-м.н, лаб. квантоворазмерных гетероструктур
- А.В. Бабичев, и.о.н.с., к.ф.-м.н, лаб. квантоворазмерных гетероструктур
- Е.В. Никитина, и.о.н.с., к.ф.-м.н, лаб. квантоворазмерных гетероструктур
- А.А. Серин, лаб., лаб. физики полупроводниковых гетероструктур
- Н.Д. Прасолов, лаб., лаб. диагностики материалов и структур твердотельной электроники
- В.Н. Неведомский, н.с., лаб. диагностики материалов и структур твердотельной электроники
Резюме проекта по этапу № 1
Комплекс мероприятий по модернизации и развитию инфраструктуры уникальной научной установки
«Сферический токамак Глобус-М» с целью доведения параметров до мирового уровня и увеличения
числа пользователей уникальным научным оборудованием
Соглашение о предоставлении субсидии: № 14.621.21.0001 от 15.08.2014
Приоритетное направление: Энергоэффективность и энергосбережение
Критическая технология: Технологии атомной энергетики,
ядерного топливного цикла, безопасного обращения с радиоактивными отходами и
отработавшим ядерным топливом
Период выполнения:15.08.2014–31.12.2015
Плановое финансирование проекта:
Бюджетные средства — 123.33 млн. руб.
Внебюджетные средства — 0.0 млн. руб.
Ответственный исполнитель: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический
институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Соисполнитель:
Индустриальный партнер:
Руководитель проекта: В.К. Гусев, д.ф.-м.н., главный научный сотрудник ФТИ им. А.Ф. Иоффе
Ключевые слова: Сферический токамак, модернизация электромагнитной
системы, реверсивный источник питания, системы дополнительного нагрева плазмы,
диагностический комплекс, защитные материалы
Исполнители:
- Т.Ю. Акатова, вед. инженер, лаб. физики высокотемпературной плазмы
- Н.Н. Бахарев, ст. лаборант, лаб. физики высокотемпературной плазмы
- А.В. Воронин, ст. научн. сотр., к.т.н ., лаб. физики высокотемпературной плазмы
- В.К. Гусев, гл. научн. сотр, д.ф-м.н., лаб. физики высокотемпературной плазмы
- А.Д. Ибляминова, ст. лаборант, лаб. физики высокотемпературной плазмы
- Г.С. Курскиев, научн. сотр., к.ф.-м.н., лаб. физики высокотемпературной плазмы
- С.А. Лепихов, ст. лаборант, лаб. физики высокотемпературной плазмы
- В.Б. Минаев, вед. научн. сотр., к.ф-м.н., лаб. физики высокотемпературной плазмы
- А.Н. Новохацкий, вед. инженер, лаб. физики высокотемпературной плазмы
- М.И. Патров, научн. сотр., к.ф-м.н., лаб. физики высокотемпературной плазмы
- Ю.В. Петров, ст. научн. сотр., к.ф-м.н., лаб. физики высокотемпературной плазмы
- Н.В. Сахаров, ст. научн. сотр., к.ф.-м.н., лаб. физики высокотемпературной плазмы
- И.Ю. Сениченков, вед. инженер, к.ф-м.н., лаб. физики высокотемпературной плазмы
- А.Ю. Тельнова, лаборант-исследователь, лаб. физики высокотемпературной плазмы
- С.Ю. Толстяков, ст. научн. сотр., к.ф-м.н., лаб. физики высокотемпературной плазмы
- Н.А. Хромов, ст. научн. сотр., к.ф-м.н., лаб. физики высокотемпературной плазмы
- П.Б. Щеголев, ст. лаборант, лаб. физики высокотемпературной плазмы
- А.Ю. Яшин, вед. инженер, лаб. физики высокотемпературной плазмы
Резюме проекта
Развитие Северо-Западного центра коллективного пользования научным оборудованием
«Материаловедение и диагностика в передовых технологиях»
для проведения комплексных исследований в области приоритетной научной задачи
«Исследования и разработка физических принципов и технических решений эффективной и безопасной гибридной ядерной энергетики»
Соглашение о предоставлении субсидии: № 14.621.21.0007 от 04.12.2014
Приоритетное направление: Энергоэффективность и энергосбережение
Критическая технология: Технологии атомной энергетики, ядерного топливного цикла, безопасного обращения с радиоактивными отходами и
отработавшим ядерным топливом
Период выполнения: 04.12.2014–31.12.2015
Плановое финансирование проекта:
Бюджетные средства — 189.278 млн. руб.
Внебюджетные средства — 11.2 млн. руб.
Ответственный исполнитель: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический
институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Соисполнитель:
Индустриальный партнер:
Руководитель проекта: В.К. Гусев, д.ф.-м.н., главный научный сотрудник ФТИ им. А.Ф. Иоффе
Ключевые слова: Сферический токамак, физика высокотемпературной плазмы, диагностика плазмы,
управляемый термоядерный синтез, термоядерный источник нейтронов, безындукционный старт и поддержание тока,
дополнительный нагрев плазмы, центр коллективного пользования
Исполнители:
- Т.Ю. Акатова, вед. инженер, лаб. физики высокотемпературной плазмы
- Л.Г. Аскинази, ст. научн. сотр., д.ф-м.н., лаб. физики высокотемпературной плазмы
- М.В. Байдакова, ст. научн. сотр., к.ф-.м.н., лаб. диагностики материалов и структур твердотельной электроники
- Б.И. Бер, ст. научн. сотр., лаб. квантоворазмерных гетероструктур
- Т.Н. Березовская, инженер-метролог, метрологическая служба
- П.Н. Брунков, вед. научн. сотр., д.ф.-м.н., лаб. диагностики материалов и структур твердотельной электроники
- В.К. Гусев, гл. научн. сотр, д.ф-м.н., лаб. физики высокотемпературной плазмы
- Е.В. Иванова, ст. научн. сотр., к.ф.-м.н., лаб. диффузии и дефектообразования в полупроводниках
- Д.Ю. Казанцев, научн. сотр., лаб. квантоворазмерных гетероструктур
- А.Е. Калмыков, ст. научн. сотр., к.ф.-м.н., лаб. диффракционных методов исследования структуры кристаллов
- Д.А. Кириленко, научн. сотр., к.ф.-м.н., лаб. диагностики материалов и структур твердотельной электроники
- С.Г. Конников, зав. лаб., чл.-корр. РАН, лаб. диагностики материалов и структур твердотельной электроники
- Г.С. Курскиев, научн. сотр., к.ф.-м.н., лаб. физики высокотемпературной плазмы
- С.В. Лебедев, гл. научн. сотр, д.ф-м.н., лаб. физики высокотемпературной плазмы
- В.Б. Минаев, вед. научн. сотр., к.ф-м.н., лаб. физики высокотемпературной плазмы
- А.В. Нащекин, ст. научн. сотр., к.ф.-м.н., лаб. диагностики материалов и структур твердотельной электроники
- С.И. Павлов, мл. научн. сотр., лаб. диагностики материалов и структур твердотельной электроники
- М.И. Патров, научн. сотр., к.ф-м.н., лаб. физики высокотемпературной плазмы
- М.Э. Рудинский, мл. научн. сотр., лаб. диагностики материалов и структур твердотельной электроники
- А.Н, Савельев,. научн. сотр., д.ф-м.н., лаб. физики высокотемпературной плазмы
- Н.В. Сахаров, ст. научн. сотр., к.ф.-м.н., лаб. физики высокотемпературной плазмы
- А.В. Сидоров, мл. научн. сотр., лаб. физики высокотемпературной плазмы
- Р.В. Соколов, научн. сотр., лаб. диагностики материалов и структур твердотельной электроники
- Д.Б. Шустов, научн. сотр., лаб. диффузии и дефектообразования в полупроводниках
одниках
Резюме проекта по этапу № 1
Резюме проекта по этапу № 2
Резюме проекта по этапу № 3
Интегрально-оптический модулятор для широкополосных систем телекоммуникаций и радиофотоники
Соглашение о предоставлении субсидии: № 14.604.21.0055 от 30.06.2014
Приоритетное направление: Информационно-телекоммуникационные системы
Критическая технология: Технологии создания электронной компонентной базы и энергоэффективных световых устройств
Период выполнения: 30.06.2014–31.12.
Плановое финансирование проекта:
Бюджетные средства — 26 млн. руб.
Внебюджетные средства — 5.2 млн. руб.
Ответственный исполнитель: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический
институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Соисполнитель: Федеральное государственное бюджетное учреждение высшего профессионального образования Пермский государственный национальный
исследовательский университет
Индустриальный партнер: Открытое акционерное общество «Пермская научно-производственная приборостроительная компания»
Руководитель проекта: А.В. Шамрай, д.ф.-м.н., зав. лаб. квантовой электроники ФТИ им. А.Ф. Иоффе
Ключевые слова: Интегрально-оптический модулятор, ниобат лития, волоконные линии связи, радиофотоника, оптические датчики
Исполнители:
Сотрудники ФТИ им. А.Ф. Иоффе
- П.М. Агрузов, мнс, лаб. квантовой электроники
- Д.А. Долбик, лаборант, лаб. квантовой электроники
- И.В. Ильичев, к.х.н., снс, лаб. квантовой электроники
- П.М. Караваев, нс, лаб. квантовой электроники
- В.С. Каретко, лаборант, лаб. квантовой электроники
- В.В. Лебедев, мнс, лаб. квантовой электроники
- А.Н. Петров, лаборант, лаб. квантовой электроники
- А.В. Тронев, лаборант, лаб. квантовой электроники
- А.А. Усикова, к.ф.-м.н., нс, лаб. квантоворазмерных гетероструктур
- А.В. Храбрая, лаборант, лаб. квантовой электроники
Сотрудники соисполнителя (ПГНИУ) и индустриального партнера (ОАО ПНППК)
- И.С. Азанова, к.ф.-м.н., доцент кафедры физики твердого тела ПГНИУ
- В.И. Кичигин, к.х.н., зав. лабораторией электрохимии кафедры физической химии ПГНИУ
- А.М. Минкин, инженер НИЧ ПГНИУ
- С.С. Мушинский, начальник лаборатории ОАО ПНППК
- И.В. Петухов, к.х.н., доцент кафедры физической химии ПГНИУ
- Т.Д. Ратманов, ведущий технолог ОАО ПНППК
- Д.И. Сидоров, аспирант ПНИПУ
- Д.И. Шевцов, к.ф.-м.н., доцент кафедры физики твердого тела ПГНИУ
Резюме проекта по этапу № 1
Разработка концепции и технологии создания полупроводниковых фотоэлектрических преобразователей на основе
гетеровалентных наноструктур соединений групп А3В5
и А2В6
Соглашение о предоставлении субсидии: № 14.604.21.0008 от 17.06.2014
Приоритетное направление: Энергоэффективность, энергосбережение, ядерная энергетика
Критическая технология: Технологии новых и возобновляемых источников энергии, включая водородную энергетику
Период выполнения: 17.06.2014–31.12.2015
Плановое финансирование проекта:
Бюджетные средства — 10 млн. руб.
Внебюджетные средства — 1.765 млн. руб.
Ответственный исполнитель: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический
институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Индустриальный партнер:Закрытое акционерное общество «Светлана-Рост»
Руководитель проекта: С.В. Иванов, д.ф.-м.н., зав. лаб. квантоворазмерных гетероструктур ФТИ им. А.Ф. Иоффе
Ключевые слова: Многопереходные солнечные элементы, КПД, полупроводниковые соединения группы
А3В5, полупроводниковые соединения
группы А2В6
Резюме проекта
Отчет по второму этапу
Отчет по третьему этапу
Мощные фотоэлектрические преобразователи лазерного излучения с КПД более 60% для систем лучевой энергетики
Соглашение о предоставлении субсидии: № 14.604.21.0089 от 27.06.2014
Приоритетное направление: Энергоэффективность, энергосбережение, ядерная энергетика
Критическая технология: Технологии создания энергосберегающих систем транспортировки, распределения и
использования энергии
Период выполнения: 27.06.2014–31.12.2016
Плановое финансирование проекта:
Бюджетные средства — 26 млн. руб.
Внебюджетные средства — 6.5 млн. руб.
Ответственный исполнитель: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический
институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Индустриальный партнер:Открытое акционерное общество «Ракетно-космическая Корпорация
«Энергия»
Руководитель проекта: В.П. Хвостиков, д.ф.-м.н., в.н.с. лаб. фотоэлектрических преобразователей ФТИ им. А.Ф. Иоффе
Ключевые слова: Эпитаксиальное выращивание, фотоэлектрическое преобразование энергии, КПД, гетероструктуры,
технология, лазерное излучение
Исполнители:
Сотрудники ФТИ им. А.Ф. Иоффе
- А.В. Андреева, лаборант, лаб. наноструктурных солнечных элементов
- Ю.М. Задиранов, к.ф.-м.н., с.н.с. лаб. квантоворазмерных гетероструктур
- М.А. Зарин, лаборант, лаб. наноструктурных солнечных элементов
- Н.Д. Ильинская, к.ф.-м.н., с.н.с., лаб. квантоворазмерных гетероструктур
- Е.А. Ионова, н.с., лаб. фотоэлектрических преобразователей
- Р.В. Лёвин, н.с., лаб. фотоэлектрических преобразователей
- А.В. Малевская, м.н.с., лаб. квантоворазмерных гетероструктур
- А.Е. Маричев, лаборант-исследователь, лаб. наноструктурных солнечных элементов
- Н.С. Потапович, к.ф.-м.н., н.с., лаб. фотоэлектрических преобразователей
- Б.В. Пушный, к.ф.-м.н., с.н.с., лаб. квантоворазмерных гетероструктур
- С.В. Сорокина, к.ф.-м.н., с.н.с., лаб. фотоэлектрических преобразователей
- Н.Х. Тимошина, вед. технолог, лаб. фотоэлектрических преобразователей
- В.П. Хвостиков, д.ф.-м.н., в.н.с., лаб. фотоэлектрических преобразователей
- О.А. Хвостикова, к.ф.-м.н., с.н.с., лаб. фотоэлектрических преобразователей
Отчет по первому этапу
Резюме проекта по этапу № 2
Резюме проекта по этапу № 3
Резюме проекта по этапу № 4
Резюме проекта по этапу № 5
Развитие методов теоретического и экспериментального моделирования поведения
металлических систем под воздействием мощных потоков плазмы
Соглашение о предоставлении субсидии: № 14.613.21.0014 от 09.09.2014
Приоритетное направление: Энергоэффективность, энергосбережение, ядерная энергетика
Критическая технология: Технологии получения и обработки конструкционных наноматериалов
Период выполнения: 09.09.2014–31.12.2017
Плановое финансирование проекта:
Бюджетные средства — 29.6 млн. руб.
Внебюджетные средства — 29.6 млн. руб.
Ответственный исполнитель: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический
институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Иностранный партнер:Инженерная ядерная школа Университета Пердью (Вест-Лафайет, США)
Руководитель проекта: В.М. Кожевин, к.ф.-м.н., с.н.с. лаб.
полупроводниковой квантовой электроники ФТИ им. А.Ф. Иоффе
Ключевые слова: аморфные металлические наноструктуры, взаимодействие плазмы со стенкой,
зарядка пылевых частиц в плазме.
Повышение энергоэффективности концентраторных фотоэлектрических модулей
для солнечных батарей
Соглашение о предоставлении субсидии: № 14.604.21.0088 от 27.06.2014
Приоритетное направление: Энергоэффективность, энергосбережение, ядерная энергетика
Критическая технология: Технологии новых и возобновляемых источников энергии, включая водородную
Период выполнения: 27.06.2014–31.12.2016
Плановое финансирование проекта:
Бюджетные средства — 26 млн. руб.
Внебюджетные средства — 8,9 млн. руб.
Ответственный исполнитель: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический
институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Индустриальный партнер:Открытое акционерное общество «Информационные спутниковые системы имени академика М.Ф. Решетнева»
Руководитель проекта: В.М. Андреев, д.т.н., зав. лаб.
фотоэлектрических преобразователей ФТИ им. А.Ф. Иоффе
Ключевые слова: преобразование солнечной энергии, полупроводниковый солнечный элемент,
концентрирование солнечного излучения, солнечный фотоэлектрический модуль, система слежения за солнцем, солнечная энергоустановка.
Исполнители:
Сотрудники ФТИ им. А.Ф. Иоффе
- В.М. Андреев, д.т.н., зав. лаб. фотоэлектрических преобразователей
- Ю.В. Ащеулов, вед. инж.,к.т.н.,лаб. фотоэлектрических преобразователей
- А.В. Гукасьян, вед. инж., лаб. фотоэлектрических преобразователей
- Н.Ю. Давидюк, вед. инж., к.ф.-м.н., лаб. наноструктурных солнечных элементов
- В.В. Евстропов, с.н.с., к.ф.-м.н., лаб. квантоворазмерных гетероструктур
- Г.А. Елецкая, техник, лаб. фотоэлектрических преобразователей
- Е.А. Елецкая, инженер, лаб. фотоэлектрических преобразователей
- В.М. Емельянов, и.о.н.с., к.ф.-м.н., лаб. наноструктурных солнечных элементов
- Г.В. Ильменков, с.н.с., к.ф.-м.н., лаб. фотоэлектрических преобразователей
- В.С. Калиновский, с.н.с., лаб. фотоэлектрических преобразователей
- Н.А. Калюжный, н.с., к.ф.-м.н., лаб. фотоэлектрических преобразователей
- С.О. Когновицкий, к.ф.-м.н., нач. ПТК
- С.А. Кожуховская, лаборант, лаб. фотоэлектрических преобразователей
- Е.В. Контрош, ст. лаб. с ВПО, лаб. фотоэлектрических преобразователей
- В.Р. Ларионов, с.н.с., к.ф.-м.н., лаб. фотоэлектрических преобразователей
- Н.М. Лебедева, ст. лаб. с ВПО, лаб. фотоэлектрических преобразователей
- Т.Г. Лешенкова, вед. инж., лаб. фотоэлектрических преобразователей
- В.А. Линнас, вед. инж., лаб. фотоэлектрических преобразователей
- А.И. Луке, Dr., зав. лаб. наноструктурных солнечных элементов
- Д.А. Малевский, н.с., лаб. фотоэлектрических преобразователей
- М.А. Минтаиров, ст. инж., лаб. фотоэлектрических преобразователей
- С.А. Минтаиров, н.с., лаб. фотоэлектрических преобразователей
- А.Н. Паньчак, ст. лаб. с ВПО, лаб. фотоэлектрических преобразователей
- П.В. Покровский, м.н.с., лаб. фотоэлектрических преобразователей
- В.Д. Румянцев, г.н.с., д.ф.-м.н., лаб. фотоэлектрических преобразователей
- Н.А. Садчиков, с.н.с., к.ф.-м.н., лаб. фотоэлектрических преобразователей
- Р.А. Салий, м.н.с., лаб. фотоэлектрических преобразователей
- Ф.Ю. Солдатенков, с.н.с., к.ф.-м.н., лаб. фотоэлектрических преобразователей
- Г.В. Сторожева, лаборант, лаб. фотоэлектрических преобразователей
- Е.Д. Филимонов, лаборант, лаб. фотоэлектрических преобразователей
- А.В. Чекалин, ст. лаб. с ВПО, лаб. фотоэлектрических преобразователей
- М.З. Шварц, с.н.с.,к.ф.-м.н., лаб. фотоэлектрических преобразователей
Квантоворазмерные полупроводниковые наногетероструктуры со сверхшироким спектром усиления
и лазеры ближнего ИК-диапазона с расширенным волноводом на их основе для создания перестраиваемого
источника лазерного излучения в диапазоне от красного до синего цвета
Соглашение о предоставлении субсидии: № 14.607.21.0101 от 28.11.2014
Приоритетное направление: Индустрия наносистем
Критическая технология: Нано-, био-, информационные, когнитивные технологии;
Технологии диагностики наноматериалов и наноустройств
Период выполнения: 28.11.2014–31.12.2016
Плановое финансирование проекта:
Бюджетные средства — 15 млн. руб.
Внебюджетные средства — 12.3 млн. руб.
Ответственный исполнитель: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический
институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Соисполнитель: #############
Индустриальный партнер:Общество с ограниченной ответственностью «Химприбор-СПб»
Руководитель проекта: Г.С. Соколовский, д.ф.-м.н., в.н.с.
лаб. интегральной оптики на гетероструктурах
Ключевые слова: квантовые точки, полупроводниковые лазеры, широкие спектры генерации,
широкие спектры усиления, оптический волновод, нелинейный кристалл, генерация второй гармоники
Исполнители:
Сотрудники ФТИ им. А.Ф. Иоффе
- М.В. Максимов, в.н.с., д.ф.-м.н., физики полупроводниковых гетероструктур
- В.В. Дюделев, с.н.с, к.ф.-м.н., лаб. интегральной оптики на гетероструктурах
- С.Н. Лосев, н.с, к.ф.-м.н., лаб. интегральной оптики на гетероструктурах
- Л.Я. Карачинский, с.н.с, к.ф.-м.н., лаб. квантоворазмерных гетероструктур
- Н.В. Крыжановская, с.н.с, к.ф.-м.н., лаб. физики полупроводниковых гетероструктур
- И.И. Новиков, с.н.с, к.ф.-м.н., квантоворазмерных гетероструктур
- К.К. Соболева, лаборант-исследователь лаб. интегральной оптики на гетероструктурах
- А.С. Паюсов, н.с, к.ф.-м.н.
- В.И. Белов, руководитель патентно-лицензионной службы ФТИ им. А.Ф. Иоффе, патентный поверенный, к. т. н, с.н.с. патентная служба ФТИ им. А.Ф, Иоффе
- Е.Д. Колыхалова, лаборант-исследователь лаб. интегральной оптики на гетероструктурах
- Д.В. Чистяков, лаборант-исследователь лаб. интегральной оптики на гетероструктурах
Резюме проекта по этапу № 1
Отчет по первому этапу
Резюме проекта по этапу № 2
Резюме проекта по этапу № 3
Резюме проекта по этапу № 4
Резюме проекта по этапу № 5
Полупроводниковые наногетероструктуры А3В5
для вертикально-излучающих лазеров ближнего ИК-диапазона
Соглашение о предоставлении субсидии: № 14.607.21.0001 от 03.06.2014
Приоритетное направление: Индустрия наносистем
Критическая технология: Нано-, био-, информационные, когнитивные технологии;
Технологии диагностики наноматериалов и наноустройств
Период выполнения: 03.06.2014–31.12.2016
Плановое финансирование проекта:
Бюджетные средства — 43.5 млн. руб.
Внебюджетные средства — 45 млн. руб.
Ответственный исполнитель: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический
институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Соисполнитель: Общество с ограниченной ответственностью «Коннектор Оптикс»
Индустриальный партнер:Открытое акционерное общество «ОКБ-Планета»
Руководитель проекта: В.М. Устинов, чл.-корр. РАН, д.ф.-м.н., зав. лаб.
физики полупроводниковых гетероструктур, зам. директора ФТИ им. А.Ф. Иоффе
Ключевые слова: наногетероструктура, оптический микрорезонатор, распределенный брэгговский
отражатель, вертикально-излучающий лазер, молекулярно-пучковая эпитаксия
Исполнители:
Сотрудники ФТИ им. А.Ф. Иоффе
- Н.А. Малеев, с.н.с., к.т.н, лаб. физики полупроводниковых гетероструктур
- С.А. Блохин, с.н.с., к.ф.-м.н, лаб. физики полупроводниковых гетероструктур
- А.П. Васильев, ст.инж, лаб. физики полупроводниковых гетероструктур
- А.Г. Кузьменков, ст.инж., к.ф.-м.н, лаб. физики полупроводниковых гетероструктур
- М.А. Бобров, инж., лаб. физики полупроводниковых гетероструктур
- А.А. Блохин, инж., лаб. физики полупроводниковых гетероструктур
- Ю.А. Гусева, м.н.с., лаб. физики полупроводниковых гетероструктур
- С.Н. Малеев, лаб., лаб. физики полупроводниковых гетероструктур
- А.А. Серин, лаб., лаб. физики полупроводниковых гетероструктур
- Н.Д. Прасолов, лаб., лаб. диагностики материалов и структур твердотельной электроники
- В.Н. Неведомский, н.с., лаб. диагностики материалов и структур твердотельной электроники
- С.И. Павлов, м.н.с., лаб. диагностики материалов и структур твердотельной электроники
Резюме проекта по этапу № 1
Резюме проекта по этапу № 2
Резюме проекта по этапу № 3
Резюме проекта по этапу № 4
Разработка МОС-гидридной технологии наногетероструктур и мощных
непрерывных и импульсных полупроводниковых лазеров на их основе, излучающих в диапазоне длин
волн 1400-1600 нм
Соглашение о предоставлении субсидии: № 14.607.21.0048 от 25.08.2014
Приоритетное направление: Индустрия наносистем
Критическая технология: Нано-, био-, информационные, когнитивные технологии
Период выполнения: 25.08.2014–31.12.2016
Плановое финансирование проекта:
Бюджетные средства — 60 млн. руб.
Внебюджетные средства — 25,8 млн. руб.
Ответственный исполнитель: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Соисполнитель: #############
Индустриальный партнер: ОАО НИИ «Полюс им. М.Ф. Стельмаха»
Руководитель проекта: И.С. Тарасов, д.ф.-м.н., зав. лаб. полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей
ФТИ им. А.Ф. Иоффе
Ключевые слова: наногетероструктура, МОС-гидридная эпитаксия,
полупроводниковый лазер, внутренние оптические потери, расширенный волновод, оже рекомбинация,
многомодовый лазер, твердые растворы изопериодические с InP
Исполнители:
Сотрудники ФТИ им. А.Ф. Иоффе
- И.Н. Арсентьев, в.н.с., д.т.н., лаб. полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей
- К.Р. Аюшева, лаборант, лаб. полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей
- К.В. Бахвалов, м.н.с., лаб. полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей
- А.Д. Бондарев, с.н.с., к.ф.-м.н., лаб. полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей
- Л.С. Вавилова, с.н.с., к.ф.-м.н., лаб. полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей
- В.В. Васильева, ст. инженер., лаб. полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей
- Д.А. Веселов, ст. лаборант с ВПО, лаб. полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей
- Н.В. Воронкова, м.н.с., лаб. полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей
- А.В. Жаботинский, ст. лаборант с ВПО, лаб. полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей
- В.В. Золотарев, ст. лаборант с ВПО, лаб. полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей
- В.А. Капитонов, н.с., лаб. полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей
- А.Ю. Лешко, н.с., к.ф.-м.н., лаб. полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей
- Я.В. Лубянский, лаборант, лаб. полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей
- А.В. Лютецкий, к.ф.-м.н., с.н.с лаб. полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей
- Д.Н. Николаев, н.с., лаб. полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей
- А.Н. Петрунов, ст. инженер, лаб. полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей
- Н.А. Пихтин, с.н.с., к.ф.-м.н.,. лаб. полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей
- А.А. Подоскин, н.с., к.ф.-м.н., лаб. полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей
- М.Г. Растегаева, н.с., к.т.н., лаб. полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей
- А.В. Рожков, с.н.с. к.ф.-м.н., лаб. полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей
- С.О. Слипченко, с.н.с., к.ф.-м.н.,. лаб. полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей
- З.Н. Соколова, с.н.с., к.ф.-м.н., лаб. полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей
- Ф.Ю. Солдатенков, с.н.с., к.ф.-м.н., лаб. фотоэлектрических преобразователей
- В.А. Стрелец, лаборант, лаб. полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей
- В.В. Шамахов, н.с., лаб. полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей
- И.С. Шашкин, н.с., к.ф.-м.н., лаб. полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей
Сотрудники других организаций
- Курносов К.В., инженер ОАО «НИИ «Полюс»
- Курнявко Ю.В., инженер ОАО «НИИ «Полюс»
- Иванов А.В., инженер ОАО «НИИ «Полюс»
- Исаева И.В., инженер ОАО «НИИ «Полюс»
- Лобинцов А.В., инженер ОАО «НИИ «Полюс»
- Шарненко Т.Ф., инженер ОАО «НИИ «Полюс»
- Егорова М.В., инженер ОАО «НИИ «Полюс»
Отчет по первому этапу
Отчет по второму этапу
Отчет по третьему этапу
Отчет по четвертому этапу
Отчет по пятому этапу
Разработка квантовых сенсоров на основе карбида кремния и создание диагностического
приборного комплекса для сканирующей магнитометрии и термометрии
Соглашение о предоставлении субсидии: № 14.604.21.0083 от 30.06.2014
Приоритетное направление: Индустрия наносистем
Критическая технология: Технологии диагностики наноматериалов и наноустройств
Период выполнения: 30.06.2014–31.12.2016
Плановое финансирование проекта:
Бюджетные средства — 26 млн. руб.
Внебюджетные средства — 6.5 млн. руб.
Ответственный исполнитель: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический
институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Индустриальный партнер: Открытое акционерное общество «Нанотехнология МДТ»
Руководитель проекта: П.Г. Баранов, д.ф.-м.н., зав. лаб. микроволновой спектроскопии кристаллов ФТИ им. А.Ф. Иоффе
Ключевые слова: Микроскопия, конфокальная микроскопия, электронный парамагнитный резонанс, оптически-детектируемый магнитный резонанс, карбид кремния, сенсорика, магнитометрия, термометрия
Исполнители:
Сотрудники ФТИ им. А.Ф. Иоффе
- В.А. Солтамов, ответственный исполнитель темы, к.ф.-м.н., нс, лаб. микроволновой спектроскопии кристаллов
- А.Г. Бадалян, к.ф.-м.н., снс, лаб. микроволновой спектроскопии кристаллов
- Г.Р. Асатрян, к.ф.-м.н., снс, лаб. микроволновой спектроскопии кристаллов
- И.В. Ильин, к.ф.-м.н., снс, лаб. микроволновой спектроскопии кристаллов
- Н.Г. Романов, к.ф.-м.н., снс, лаб. микроволновой спектроскопии кристаллов
- В.А. Храмцов, к.ф.-м.н., снс, лаб. микроволновой спектроскопии кристаллов
- Р.А. Бабунц, к.ф.-м.н., нс, лаб. микроволновой спектроскопии кристаллов
- В.Л. Преображенский, к.ф.-м.н., лаб. микроволновой спектроскопии кристаллов
- Д.О. Толмачев, к.ф.-м.н., нс, лаб. микроволновой спектроскопии кристаллов
- С.И. Голощапов, к.ф.-м.н., нс, лаб. микроволновой спектроскопии кристаллов
- М.В. Музафарова, к.ф.-м.н., нс, лаб. микроволновой спектроскопии кристаллов
- Д.Ф. Корнован, к.ф.-м.н., нс, лаб. микроволновой спектроскопии кристаллов
- Е.Н. Мохов, зав. лаб. электроники полупроводников с большой энергией связи
- С.С. Нагалюк, к.ф.-м.н., нс, лаб. электроники полупроводников с большой энергией связи
- В.И. Белов, к.ф.-м.н., нс, группа патентно-лицензионная
- Э.Ю. Даниловский, к.ф.-м.н., нс, лаб. атомной радиоспектроскопии
- Д.С. Гец, к.ф.-м.н., нс, лаб. атомной радиоспектроскопии
- А.П. Бундакова, инженер, лаб. микроволновой спектроскопии кристаллов
- Д.Д. Крамущенко, к.ф.-м.н., и.о. нс, лаб. микроволновой спектроскопии кристаллов
- А.С. Гурин, мнс, лаб. оптики полупроводников
- Ю.А. Успенская, ст. лаборант с ВПО, лаб. микроволновой спектроскопии кристаллов
- А.Н. Анисимов, ст. лаборант с ВПО, лаб. микроволновой спектроскопии кристаллов
- Р.Р. Измайлов, лаборант, лаб. микроволновой спектроскопии кристаллов
Резюме проекта по этапу № 1
Разработка фотоэлектрических гетероструктурных преобразователей на основе кристаллического и аморфного кремния с
конкурентными на мировом рынке энергетическими и экономическими показателями
Соглашение о предоставлении субсидии: № 14.607.21.0075 от 20.10.2014
Приоритетное направление: Энергоэффективность, энергосбережение, ядерная энергетика
Критическая технология: Технологии новых и возобновляемых источников энергии, включая водородную
Период выполнения: 20.10.2014–31.12.2016
Плановое финансирование проекта:
Бюджетные средства — 47,5 млн. руб.
Внебюджетные средства — 32 млн. руб.
Ответственный исполнитель: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический
институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Индустриальный партнер: ООО «Хевел»
Руководитель проекта: Е.И. Теруков, д.т.н., зав. лаб. физико-химических свойств полупроводников ФТИ им. А.Ф. Иоффе
Ключевые слова: фотоэлектрический преобразователь, эффективность преобразователей, сто-имость преобразователей, кристаллический кремний, а
морфный кремний, фотоэлектрический модуль, текстурирование поверхности, плазмохимическая технология
Исполнители:
Сотрудники ФТИ им. А.Ф. Иоффе
- А.В. Бобыль, д.ф.-м.н., внс, лаб. физико-химических свойств полупроводников
- А.С. Гудовских, вед. инженер, лаб. фотоэлектрических преобразователей
- Д.А. Малевский, нс, НОЦ физика и технология п/п лазеров на основе наногетероструктур
- И.Е. Панайотти, к.ф.-м.н., нс, лаб. физической и функциональной микроэлектроники
- Г.М. Аблаев, инженер-исследователь, лаб. физико-химических свойств полупроводников
- Д.А. Богданов, инженер-исследователь, лаб. физико-химических свойств полупроводников
- В.Н. Вербицкий, ст. лаборант с ВПО, лаб. физико-химических свойств полупроводников
- Г.А. Горбатовский, лаборант, лаб. физико-химических свойств полупроводников
- Е.М. Ершенко, мнс, лаб. физико-химических свойств полупроводников
- Г.А. Иванов, инженер, лаб. физико-химических свойств полупроводников
- С.А. Кудряшов, инженер-исследователь, лаб. физико-химических свойств полупроводников
- Е.В. Мальчукова, к.ф.-м.н., снс, лаб. физико-химических свойств полупроводников
- С.Е. Никитин, снс, лаб. физико-химических свойств полупроводников
- И.Н. Трапезникова, нс, лаб. физико-химических свойств полупроводников
Резюме проекта по этапу № 1
Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2007–2013 годы
Проведение проблемно-ориентированных поисковых исследований
в области создания
энергоэффективных компактных источников
тока мощностью не менее 50 Вт на основе твердополимерных топливных элементов
Контракт: № 16.516.11.6135 от 22.09.2011
Приоритетное направление: Энергоэффективность
Критическая технология: Технологии водородной энергетики
Период выполнения: 22.09.11-16.08.12
Ответственный исполнитель: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-
технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Руководитель проекта: А.Г. Забродский, чл.-корр. РАН, директор ФТИ им. А.Ф. Иоффе,
Ключевые слова: компактные источники тока, высокая удельная энергоемкость,
высокоэффективные катализаторы, топливные элементы, мембранно-электродные
блоки, методы формирования каталитических слоев, электрические характеристики
МЭБ и КИТ, каталитические слои, углеродные нанотрубки, функционализация,
каталитические чернила, эффективность катализа, водородная энергетика
Исполнители:
Сотрудники ФТИ им. А.Ф. Иоффе
- А.А. Нечитайлов, н.с., к.т.н, лаб. мощных полупроводниковых приборов
- Н.В. Глебова, инженер, м.н.с., лаб. мощных полупроводниковых приборов
- Д.В. Кошкина, инженер, аспирантка, лаб. мощных полупроводниковых приборов
- Е.А. Мирошниченко, лаборант, студентка, лаб. мощных полупроводниковых приборов
- Е.Е. Терукова, лаборант-исследователь, к.т.н., лаб. фотоэлектрических явлений в полупроводниках
- А.А. Томасов, с.н.с, к.ф-м.н., лаб. неравновесных процессов в полупроводниках
- Н.К. Зеленина, н.с., лаб. неравновесных процессов в полупроводниках
- А.И. Терентьев,с.н.с, к.ф-м.н., лаб. неравновесных процессов в полупроводниках
- С.А. Гуревич, г.н.с., д. ф-м.н., проф., лаб. полупроводниковой квантовой электроники
- В.М. Кожевин, с.н.с, к.ф-м.н., лаб. полупроводниковой квантовой электроники
- М.В. Горохов, н.с., к.ф-м.н., лаб. полупроводниковой квантовой электроники
- Д.А. Андроников, инженер, лаб. полупроводниковой квантовой электроники
- Д.С. Ильющенков, н.с., к.ф-м.н., лаб. полупроводниковой квантовой электроники
- Д.А. Явсин, с.н.с, к.ф-м.н., лаб. полупроводниковой квантовой электроники
- Ю.В. Алексеева, м.н.с., лаб. полупроводниковой квантовой электроники
- И.П. Смирнова, н.с., к.ф.-м.н, лаб. полупроводниковой квантовой электроники
- И.Н. Дубинкин, лаборант, лаб. полупроводниковой квантовой электроники
- М.Д. Иофе, лаборант, студент, лаб. полупроводниковой квантовой электроники
- А.А. Трилис, лаборант, студент, лаб. полупроводниковой квантовой электроники
- М.В. Томкович, лаб. новых неорганических материалов
- Ю.С. Кукушкина, лаб. новых неорганических материалов
- В.В. Соколов, лаб. новых неорганических материалов
- В.Г. Малышкин, лаб. неравновесных процессов в полупроводниках
- А.А. Ситникова, н.с., лаб. диагностики материалов и структур твердотельной электроники
- В.И. Белов, с.н.с, к.т.н., патентно-лицензионная служба
Сотрудники других организаций
- Д.В. Каменьков, аспирант, СПбГЭТУ (ЛЭТИ)
- Д.А. Чигирев, аспирант, СПбГЭТУ (ЛЭТИ)
Резюме проекта по этапу № 3
Научные и научно-педагогические кадры инновационной России на 2009–2013 годы
Исследование селекции продольных мод в мощных многомодовых полупроводниковых лазерах с внутренней дифракционной решеткой
Контракт: № 14.740.11.0807 от 30.11.2010 г.
Приоритетное направление: индустрия наносистем и материалов
Критическая технология: Технологии создания электронной компонентной базы
Период выполнения: 30.11.10 - 15.11.12
Ответственный исполнитель: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-
технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Руководитель проекта: И.С. Тарасов, д.ф.-м.н., зав. лаб. полупроводниковой люминесценции
и инжекционных излучателей
Ключевые слова: полупроводниковые лазеры, гетероструктура, оптическая мощность излучения,
дифракционная решетка, узкий спектр излучения
Исполнители:
Сотрудники ФТИ им. А.Ф. Иоффе
- П.С. Копьев, д.ф-м.н., чл.-корр. РАН, руководитель НОЦ «Физика и технология полупроводниковых лазеров на основе наногетероструктур» при ФТИ им. А.Ф. Иоффе
- И.Н. Арсентьев, д.т.н., в.н.с. НОЦ «Физика и технология полупроводниковых лазеров на основе наногетероструктур» при ФТИ им. А.Ф. Иоффе
- В.В. Мамутин, д.ф.-м.н., в.н.с. НОЦ «Физика и технология полупроводниковых лазеров на основе наногетероструктур» при ФТИ им. А.Ф. Иоффе
- З.Н. Соколова, к.ф.-м.н., с.н.с НОЦ «Физика и технология полупроводниковых лазеров на основе наногетероструктур» при ФТИ им. А.Ф. Иоффе
- Н.А. Пихтин, к.ф.-м.н., с.н.с. НОЦ «Физика и технология полупроводниковых лазеров на основе наногетероструктур» при ФТИ им. А.Ф. Иоффе
- С.О. Слипченко, к.ф.-м.н., н.с. НОЦ «Физика и технология полупроводниковых лазеров на основе наногетероструктур» при ФТИ им. А.Ф. Иоффе
- А.В. Лютецкий, к.ф.-м.н, н.с. НОЦ «Физика и технология полупроводниковых лазеров на основе наногетероструктур» при ФТИ им. А.Ф. Иоффе
- М.Г. Растегаева, к.т.н, н.с. НОЦ «Физика и технология полупроводниковых лазеров на основе наногетероструктур» при ФТИ им. А.Ф. Иоффе
- А.Ю. Лешко, к.ф.-м.н, н.с НОЦ «Физика и технология полупроводниковых лазеров на основе наногетероструктур» при ФТИ им. А.Ф. Иоффе
- Д.А. Винокуров, н.с. НОЦ «Физика и технология полупроводниковых лазеров на основе наногетероструктур» при ФТИ им. А.Ф. Иоффе
- К.С. Ладутенко, м.н.с. НОЦ «Физика и технология полупроводниковых лазеров на основе наногетероструктур» при ФТИ им. А.Ф. Иоффе
- Д.Н. Николаев, м.н.с. НОЦ «Физика и технология полупроводниковых лазеров на основе наногетероструктур» при ФТИ им. А.Ф. Иоффе
- В.В. Шамахов, м.н.с. НОЦ «Физика и технология полупроводниковых лазеров на основе наногетероструктур» при ФТИ им. А.Ф. Иоффе
- Т.А Комисарова, к.ф.-м.н, н.с. НОЦ «Физика и технология полупроводниковых лазеров на основе наногетероструктур» при ФТИ им. А.Ф. Иоффе
- А.Н. Семенов, к.ф.-м.н., н.с. НОЦ «Физика и технология полупроводниковых лазеров на основе наногетероструктур» при ФТИ им. А.Ф. Иоффе
- Е.Р. Сеель, к.ф.-м.н., вед.технолог НОЦ «Физика и технология полупроводниковых лазеров на основе наногетероструктур» при ФТИ им. А.Ф. Иоффе
- В.В. Васильева, инженер НОЦ «Физика и технология полупроводниковых лазеров на основе наногетероструктур» при ФТИ им. А.Ф. Иоффе
- А.Н. Перунов, инженер НОЦ «Физика и технология полупроводниковых лазеров на основе наногетероструктур» при ФТИ им. А.Ф. Иоффе
- А.В. Атращенко, аспирант, лаборант-исследователь НОЦ «Физика и технология полупроводниковых лазеров на основе наногетероструктур» при ФТИ им. А.Ф. Иоффе
- А.А. Подоскин, аспирант, лаборант-исследователь НОЦ «Физика и технология полупроводниковых лазеров на основе наногетероструктур» при ФТИ им. А.Ф. Иоффе
- И.С. Шашкин, аспирант, лаборант-исследователь НОЦ «Физика и технология полупроводниковых лазеров на основе наногетероструктур» при ФТИ им. А.Ф. Иоффе
- Д.В. Авдошина, студент, лаборант НОЦ «Физика и технология полупроводниковых лазеров на основе наногетероструктур» при ФТИ им. А.Ф. Иоффе
- К.В. Бахвалов, и.о.м.н.с НОЦ «Физика и технология полупроводниковых лазеров на основе наногетероструктур» при ФТИ им. А.Ф. Иоффе
- Д.А. Веселов, студент, лаборант НОЦ «Физика и технология полупроводниковых лазеров на основе наногетероструктур» при ФТИ им. А.Ф. Иоффе
- А.В. Журавлев, студент, лаборант НОЦ «Физика и технология полупроводниковых лазеров на основе наногетероструктур» при ФТИ им. А.Ф. Иоффе
- Г.О. Корнышов, студент, лаборант НОЦ «Физика и технология полупроводниковых лазеров на основе наногетероструктур» при ФТИ им. А.Ф. Иоффе
Резюме проекта
Исследование фундаментальных и технологических причин, ограничивающих максимальную выходную оптическую мощность
полупроводниковых лазеров, излучающих в спектральном диапазоне 900–1200 нм
Контракт: № ГК П2319 от 16.11.2009 г.
Приоритетное направление: Индустрия наносистем и материалов
Критическая технология: Технологии создания электронной компонентной базы
Период выполнения: 16.11.09 - 10.08.11
Ответственный исполнитель: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-
технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Руководитель проекта: И.С. Тарасов, д.ф.-м.н., профессор
зав. лаб. полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей
Ключевые слова: лазерные гетероструктуры, температурная стабильность лазерных характеристик,
делокализация носителей заряда, МОС-гидридная эпитаксия, внутренние оптические потери
Исполнители:
Сотрудники ФТИ им. А.Ф. Иоффе
- З.Н. Соколова, к.ф.-м.н., с.н.с. лаб. полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей
- Н.А. Пихтин, к.ф.-м.н., с.н.с. лаб. полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей
- С.О. Слипченко, к.ф.-м.н., н.с. лаб. полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей
- А.Л. Станкевич, н.с. лаб. полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей
- Д.А. Винокуров, н.с. лаб. полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей
- Н.В. Фетисова, м.н.с. лаб. полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей
- В.В. Шамахов, м.н.с. лаб. полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей
- А.А. Подоскин, ст. лаборант, аспирант лаб. полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей
- И.С. Шашкин, ст. лаборант, аспирант лаб. полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей
- А.В. Атращенко, студент, лаборант лаб. полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей
Резюме проекта
Разработка и создание полупроводниковых лазеров на основе гетероструктур с квантовыми ямами на подложках GaAs,
излучающих в диапазоне длин волн 1200–1600 нм
Контракт: № ГК П2508 от 16.11.2009 г.
Приоритетное направление: индустрия наносистем и материалов
Критическая технология: технологии создания электронной компонентной базы
Период выполнения: 20.11.09 - 31.07.11
Ответственный исполнитель: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-
технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Руководитель проекта: Н.А. Пихтин, к.ф.-м.н., с.н.с. лаб. полупроводниковой люминесценции
и инжекционных излучателей
Ключевые слова: лазерные гетероструктуры; компенсирующие слои; сильнонапряженные квантовые ямы;
буферные слои; искусственные подложки; МОС-гидридная эпитаксия
Исполнители:
Сотрудники ФТИ им. А.Ф. Иоффе
- З.Н. Соколова, к.ф.-м.н., с.н.с. лаб. полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей
- С.О. Слипченко, к.ф.-м.н., н.с. лаб. полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей
- А.Л. Станкевич, н.с. лаб. полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей
- Д.А. Винокуров, н.с. лаб. полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей
- Н.В. Фетисова, м.н.с. лаб. полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей
- В.В. Шамахов, м.н.с. лаб. полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей
- А.А. Подоскин, ст. лаборант, аспирант лаб. полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей
- И.С. Шашкин, ст. лаборант, аспирант лаб. полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей
- А.В. Атращенко, студент, лаборант лаб. полупроводниковой люминесценции и инжекционных излучателей
Резюме проекта
|
|
