|
Всего записей: 263
|
2017, Премия ФТИ
|
|
Поддубный,АН; Пошакинский,АВ
Резонансная оптомеханика в структурах с квантовыми ямами
|
Лаб. Голуба,ЛЕ;Жиля,Б
|
2016, Премия ФТИ
|
|
Андрианов,ГО; Козуб,ВИ; Михайлин,НЮ; Парфеньев,РВ; Шамшур,ДВ; Черняев,АВ
Зависимость сверхпроводящих свойств твердых растворов (PbzSn1-z)0.95In0.05 от состава материала и гидростатического сжатия
|
Лаб. Волкова,МП;Козуба,ВИ;Волкова,МП;Волкова,МП;Волкова,МП;Волкова,МП
|
2016, Премия ФТИ
|
|
Грехов,ИВ; Люблинский,АГ; Белякова,ЕИ; Юсупова,ША
Новые кремниевые приборы силовой импульсной электроники
|
Лаб. Грехова,ИВ;Грехова,ИВ;Грехова,ИВ;Грехова,ИВ
|
2016, Премия ФТИ
|
|
Елизаров,АЮ
Диагностика боли во время анестезии
|
Лаб. Кузнецова,ВИ
|
2016, Премия ФТИ
|
|
Петров,ЮВ; Бахарев,НН; Корнев,ВА; Минаев,ВБ; Патров,МИ; Сахаров,НВ; Щёголев,ПБ
Исследование тороидальных альфвеновских мод на токамаке Глобус-М
|
Лаб. Гусакова,ЕЗ;Гусакова,ЕЗ;Гусакова,ЕЗ;Гусакова,ЕЗ;Гусакова,ЕЗ;Гусакова,ЕЗ;Гусакова,ЕЗ
|
2016, Премия ФТИ
|
|
Самсонов,АМ; Семенова,ИВ; Дрейден,ГВ; Белашов,АВ
Солитоны деформации в элементах конструкций и в непрозрачных нанокомпозитах
|
Лаб. Самсонова,АМ;Гусакова,ЕЗ;Гусакова,ЕЗ;Кузнецова,ВИ
|
2016, Премия ФТИ
|
|
Дурнев,МВ; Будкин,ГВ; Нестоклон,МО; Голуб,ЛЕ; Ивченко,ЕЛ; Тарасенко,СА
Электронные свойства топологических изоляторов на основе теллуридов
|
Лаб. Аверкиева,НС;Голуба,ЛЕ;Голуба,ЛЕ;Голуба,ЛЕ;Голуба,ЛЕ;Голуба,ЛЕ
|
2016, Премия ФТИ
|
|
Голубев,ВГ; Еуров,ДА; Кириленко,ДА; Кукушкина,ЮА; Курдюков,ДА; Стовпяга,ЕЮ
Монодисперсные композитные частицы на основе нанопористого оксида кремния для диагностики и терапии онкологических заболеваний
|
Лаб. Голубева,ВГ;Голубева,ВГ;Конникова,СГ;Гусарова,ВВ;Голубева,ВГ;Голубева,ВГ
|
2015, Премия ФТИ
|
|
Алексеев,ПС; Горный,ИВ; Дмитриев,АП; Качоровский,ВЮ
Магнетосопротивление графена вблизи точки электронейтральности
|
Лаб. Аверкиева,НС;Аверкиева,НС;Аверкиева,НС;Аверкиева,НС
|
2015, Премия ФТИ
|
|
Андроникова,ДА; Бронвальд,ЮА; Бурковский,РГ; Вахрушев,СБ; Таганцев,АК
Микроскопическая и мезоскопическая структура функциональных материалов на основе антисегнетоэлектриков
|
Лаб. Вахрушева,СБ;Таганцева,АК;Вахрушева,СБ;Вахрушева,СБ;Таганцева,АК
|