Структурный анализ поверхности методом дифракции квазиупругого рассеянных электронов
Диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук
по специальности физическая электроника (01.04.04), совет: Д 002.205.03
Руководитель(и) (консультант): Пронин,ИИ
Утверждена ВАК: 14 июля 2000,
протокол: 30к/93
Четверг, 27 апреля 2000
Астахов,ГВ, ФТИ
Лаб. Кусраева,ЮГ
Экситон-электронное заимодействие в модулировано-легированных квантовых ямах на основе полупроводников А2В6
Диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук
по специальности физика полупроводников (01.04.10), совет: К 002.205.01
Руководитель(и) (консультант):
Утверждена ВАК: 14 июля 2000,
протокол: 30к/92
Четверг, 27 апреля 2000
Егоров,СВ, ФТИ
Лаб. Забродского,АГ
Проявление эффектов электронного взаимодействия в низкотемпературных транспортных свойствах нейтронно-легированного Ge:Ga при переходе из изоляторного состояния в металлическое
Диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук
по специальности физика конденсированного состояния (01.04.07), совет: К 002.205.01
Руководитель(и) (консультант):
Утверждена ВАК: 14 июля 2000,
протокол: 30к/96
Понедельник, 17 апреля 2000
Каманин,АВ, ФТИ
Лаб. Иванова,СВ
Исследование диффузии цинка из полимерных диффузантов в полупроводники А3В5 (на примере InP)
Диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук
по специальности физика полупроводников (01.04.10), совет: К 002.205.02
Руководитель(и) (консультант):
Утверждена ВАК: 14 июля 2000,
протокол: 30к/94
Понедельник, 17 апреля 2000
Пихтин,НА, ФТИ
Лаб. Тарасова,ИС
Исследование гетероструктур в системе In-Ga-As-P и разработ-ка на их основе перестраивоемого одномодового гетеролазера и мощного суперлюминесцентного диода (l=1,3-1,55 мкм)
Диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук
по специальности физика полупроводников (01.04.10), совет: К 002.205.02
Руководитель(и) (консультант): Тарасов,ИС
Утверждена ВАК: 14 июля 2000,
протокол: 30к/96
Понедельник, 20 марта 2000
Кудряшов,ИВ, ФТИ
Лаб. Тарасова,ИС
Особенности излучательной рекомбинации низкоразмерных гетероструктур InGaAs/AlGaAs и GaAs/AlGaAs
Диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук
по специальности физика полупроводников (01.04.10), совет: К 002.205.02
Руководитель(и) (консультант): Евтихиев,ВП
Утверждена ВАК: 09 июня 2000,
протокол: 25к/91
Вторник, 14 марта 2000
Бобыль,АВ, СПб ГТУ
Лаб. Терукова,ЕИ
Дефекты эпитаксиальных YBa2Cu3O7 пленок как источник фликкер шума
Диссертация на соискание ученой степени докт. физ.-мат. наук
по специальности физика конденсированного состояния (01.04.07), совет: Д 002.205.01
Утверждена ВАК: 09 июня 2000,
протокол: 25д/38
Четверг, 09 марта 2000
Агеев,НВ, СПб ГТУ
Коэффициент Нернста-Эттинсгаузена в легированных высокотемпературных сверхпроводниках системы YBa2Cu3O11 в нормальной фазе
Диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук
по специальности физика конденсированного состояния (01.04.07), совет: К 002.205.01
71 72 73 74 75 76 77 78 79
