Web of Science®
ФТИ в 2000–20 гг.
Статей 24970
Цитируемость
суммарная 322324
на статью 12.9
Индекс Хирша 169
G-индекс 285
Scopus®
ФТИ в 2000–20 гг.
Статей 28003
Цитируемость
суммарная 345495
на статью 12.3
Индекс Хирша 177
G-индекс 295
Основные достижения
Отчет ФТИ 2020
 

Патенты, полученные ФТИ

Название патента (фрагмент)
Номер патента
Год

Автор
 
Всего записей: 366, страниц: 74
Газоаналитический мультисенсорный чип на основе аминированного графена, модифицированного наночастицами гидроксидов и оксидов никеля, и способ его изготовления
Патент РФ #2814613 от 01 марта 2024, тип: Изобретение
Рабчинский,МК; Сысоев,ВВ; Рыжков,СА; Стручков,НС; Соломатин,МА; Варежников,АС; Червякова,ПД; Савельев,СД; Габрелян,ВС; Улин,НВ; Кириленко,ДА; Павлов,СИ; Брунков,ПН
Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН
Авторы-сотрудники ФТИ: Рабчинский,МК, Рыжков,СА, Червякова,ПД, Савельев,СД, Габрелян,ВС, Улин,НВ, Кириленко,ДА, Павлов,СИ, Брунков,ПН
Подразделения: Прасолова,НД, Прасолова,НД, Прасолова,НД, Прасолова,НД, Прасолова,НД, Прасолова,НД, Прасолова,НД, Прасолова,НД, Брункова,ПН
Газоаналитический мультисенсорный чип на основе графена, модифицированного наночастицами благородных металлов, и способ его изготовления
Патент РФ #2814586 от 01 марта 2024, тип: Изобретение
Рабчинский,МК; Сысоев,ВВ; Рыжков,СА; Стручков,НС; Соломатин,МА; Варежников,АС; Червякова,ПД; Габрелян,ВС; Столярова,ДЮ; Полукеева,АВ; Кириленко,ДА; Байдакова,МВ; Петухов,ВА; Павлов,СИ; Брунков,ПН
Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН
Авторы-сотрудники ФТИ: Рабчинский,МК, Рыжков,СА, Червякова,ПД, Габрелян,ВС, Полукеева,АВ, Кириленко,ДА, Байдакова,МВ, Павлов,СИ, Брунков,ПН
Подразделения: Прасолова,НД, Прасолова,НД, Прасолова,НД, Прасолова,НД, Прасолова,НД, Прасолова,НД, Прасолова,НД, Прасолова,НД, Брункова,ПН
Газоаналитический мультисенсорный чип на основе фосфорилированного графена и способ его изготовления
Патент РФ #2814054 от 21 февраля 2024, тип: Изобретение
Рабчинский,МК; Сысоев,ВВ; Рыжков,СА; Стручков,НС; Соломатин,МА; Варежников,АС; Савельев,СД; Габрелян,ВС; Столярова,ДЮ; Кириленко,ДА; Саксонов,АА; Павлов,СИ; Брунков,ПН
Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН
Авторы-сотрудники ФТИ: Рабчинский,МК, Рыжков,СА, Савельев,СД, Габрелян,ВС, Кириленко,ДА, Саксонов,АА, Павлов,СИ, Брунков,ПН
Подразделения: Прасолова,НД, Прасолова,НД, Прасолова,НД, Прасолова,НД, Прасолова,НД, Прасолова,НД, Прасолова,НД, Брункова,ПН
Способ выращивания полупроводниковой пленки
Патент РФ #2814063 от 21 февраля 2024, тип: Изобретение
Жмерик,ВН; Нечаев,ДВ; Семенов,АН
Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН
Авторы-сотрудники ФТИ: Жмерик,ВН, Нечаев,ДВ, Семенов,АН
Подразделения: Торопова,АА, Торопова,АА, Торопова,АА
Способ изготовления фотоэлектрического преобразователя на основе GaInAsSb
Патент РФ #2813746 от 16 февраля 2024, тип: Изобретение
Сорокина,СВ; Хвостиков,ВП; Васильев,ВИ
Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН
Авторы-сотрудники ФТИ: Сорокина,СВ, Хвостиков,ВП, Васильев,ВИ
Подразделения: Шварца,МЗ, Шварца,МЗ, Соколовского,ГС
firstprev 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 nextfrwd10last
Яндекс.Метрика
© 2005–2020 разработка и сопровождение: ОНТИ ФТИ им. А.Ф. Иоффе