Способ тестирования чипов наоснове полупроводниковых структур Al-Ga-In-As-P и устройство для его осуществления
Патент РФ #2856789 от
24 февраля 2026, тип: Изобретение Давидюк,НЮ; Минтаиров,СА; Малевский,ДА; Покровский,ПВ; Малевская,АВ
Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН
Авторы-сотрудники ФТИ: Давидюк,НЮ, Минтаиров,СА, Малевский,ДА, Покровский,ПВ, Малевская,АВ
Подразделения: Шварца,МЗ, Шварца,МЗ, Маричева,АЕ, Маричева,АЕ, Шарова,ВА
Имитатор солнечного излучения
Патент РФ #2855878 от
04 февраля 2026, тип: Изобретение Шварц,МЗ; Малевский,ДА; Покровский,ПВ; Ловыгин,ИВ
Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН
Авторы-сотрудники ФТИ: Шварц,МЗ, Малевский,ДА, Покровский,ПВ
Подразделения: Шварца,МЗ, Маричева,АЕ, Маричева,АЕ
Программа обработки и анализа данных диагностики диверторного томсоновского рассеяния
токамака Глобус-М2
Свидетельство РФ #2026610561 от
14 января 2026, тип: Программы для ЭВМ Ермаков,НВ; Мухин,ЕЕ
Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН
Авторы-сотрудники ФТИ: Ермаков,НВ, Мухин,ЕЕ
Подразделения: Мухина,ЕЕ, Мухина,ЕЕ
Источник электродвижущей силы
Патент РФ #240267 от
29 декабря 2025, тип: Полезная модель Яковлев,ЮП; Шутаев,ВА; Гребенщикова,ЕА
Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН
Авторы-сотрудники ФТИ: Яковлев,ЮП, Шутаев,ВА, Гребенщикова,ЕА
Подразделения: Ременного,МА, Ременного,МА, Ременного,МА
Устройство для коллимации выходного излучения полупроводникового лазера
Патент РФ #2854286 от
29 декабря 2025, тип: Изобретение Дерягин,НГ; Дюделев,ВВ; Соколовский,ГС
Правообладатели: ФТИ имени А.Ф. Иоффе РАН
Авторы-сотрудники ФТИ: Дерягин,НГ, Дюделев,ВВ, Соколовский,ГС
Подразделения: Соколовского,ГС, Соколовского,ГС, Соколовского,ГС